STF5NK100Z TO-220FPAB-3 MOSFET>N-channel 1kV 3.5A

STF5NK100Z TO-220FPAB-3 MOSFET>N-channel 1kV 3.5A

記述:タイプ:N-channelの下水管の源の電圧（Vdss）:1kV連続的な下水管の流れ（ID）:3.5A力（Pd）:30Wオン抵抗（RDS （） @ Vgs、ID）:3.7 Ω @ 10Vの1.75A境界の電圧（Vgs （Th） @ ID）:4.5V@100uA
 
指定

船積み:

1つ、私達はDHL、UPS、Federal Express、TNTおよびEMSによって船積み世界中できる。

包装は非常に安全、強い。nitfy私特別な必要性がある
2、およそあなたの手に達するために3-5日かかる。

製品タイプ及び状態:
fluctuant販売の状態のために。標準的な部品は常に変わって、物品目録はすみやかに更新することができない。

尋ねるときそう標準的な状態に相談しなさい。

バイヤーの読書:
1。あなたが受け取った項目プロダクトのレシートを確認しなさい、

そして商品が傷ついたら私達にすぐに連絡しなさい。私達が最もよい解決を点検し、与えてもいいこと私達に写真を送りなさい

2. 私達は時間の配達私達だけを速達便の時間を制御できなかった保証する。私達の関連の販売人は責任がある次の仕事日以内に渡された商品のためのAWBを送るために。私達があなたに送るウェブサイトのAWBを点検できる。AWBのためにまたあなたの会社の明白な会社のローカル枝に呼ぶことができる。

プリセール サービス:

1. 私達のチームは異なった顧客から異なった条件に基づいて解決を設計し、作る。

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指定

プロダクト変数

バッチ:--目録:

最低順序量:最低の包装の量:

プロダクト モデル:STF5NK100Zの製造業者:ST

FETのタイプ:N-channelの技術:MOSFET （金属酸化物）

源の電圧（Vdss）を流出させなさい:現在の1000V25 ° C -連続的な下水管（ID）:3.5A （Tc）

ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）:異なったIDおよびVgsの10Vオン抵抗（最高）:3.7 Ω @ 1.75A、10V

異なったIDのVgs （Th） （最高）:4.5V @ 100 µ別のVgsのゲート充満（Qg） （最高）:59nC @ 10V

Vgs （最高）:± 30Vは別のVdsでキャパシタンス（Ciss）を入れた（最高）:1154pF @ 25V

FET機能:-電力損失（最高）:30W （Tc）

実用温度:- 55 ° C~150の° C （TJ）の設置タイプ:穴を通して

製造者の装置パッケージ:TO-220FPのパッケージ/貝:TO-220-3パッケージ

導入:電子部品STF5NK100ZはSTによってそして中心のブランドのモールを捜すことで販売される設計され、製造され。STSTF5NK100Zの詳しい使用方法そして個人指導を含んでいる中国材料のようなデータ手動機能マニュアルをダウンロードすることを選ぶことができる。

 
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FAQ:
Q1. 順序プロセスは何であるか。
:最初に私達は電子メールによって順序の細部および生産の細部またはTM論議する。それから私達はyoua PIをのための送る
あなたのconfrmation。私達が支払を受け取った後、私達は順序を処理し始めた。
Q2. 私はいかに順序を置くか。
:電子メールによってあなたの順序の細部を調べるか、または順序をオンラインで置くために私達に連絡できる。
Q3. 私はいかに支払うか。
:私達のPIを確認した後、私達は支払うように頼む。
Q4. あなたの受渡し時間はいかにあるか。
:通常の状況で、商品は受け入れの後の3-5仕事日以内に出荷される
支払は順序の量によって、最終的に決まり。
Q5. 配達の前にすべての商品をテストするか。
:はい、私達に配達の前に100%テストがある。