STGWA20H65DFB2 ST トランジスタ 20 A 高速 HB2 シリーズ IGBT TO-247
モデル番号:STGWA20H65DFB2
産地:イタリア
最低注文量:1PCS
支払条件:T/T,L/C
供給能力:12000 PCS+48hours
配達時間:24-72hours
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Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋4513のブロックCのCEIECの建物、Huaqiang北Rd、福田区、シンセン、広東省、中国518031
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内 19 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
STGWA20H65DFB2 STトランジスタ 20 A高速HB2シリーズ IGBT TO-247
メーカー:STMicroelectronics
製品カテゴリ:IGBTトランジスタ
テクノロジー: Si
パッケージ/ケース: TO-247-3
固定 スタイル: 穴 を 通し て
構成: 単機
コレクター・エミッター 最大電圧 VCEO: 650 V
コレクター・エミッター 飽和電圧: 1.65 V
ゲート/エミッター 最大電圧: - 20V, 20V
25C:40Aの連続電流
Pd電力の分散: 147 W
最低動作温度: -55°C
最大動作温度: + 175 C
パッケージ:チューブ
ブランド:STMicroelectronics
ゲート・エミッター漏れ電流: 250 nA
製品タイプ:IGBTトランジスタ
パッケージ数: 600 PCS
サブカテゴリ:IGBT
単位重量: 6,100 g
製品カテゴリ:IGBTトランジスタ
テクノロジー: Si
パッケージ/ケース: TO-247-3
固定 スタイル: 穴 を 通し て
構成: 単機
コレクター・エミッター 最大電圧 VCEO: 650 V
コレクター・エミッター 飽和電圧: 1.65 V
ゲート/エミッター 最大電圧: - 20V, 20V
25C:40Aの連続電流
Pd電力の分散: 147 W
最低動作温度: -55°C
最大動作温度: + 175 C
パッケージ:チューブ
ブランド:STMicroelectronics
ゲート・エミッター漏れ電流: 250 nA
製品タイプ:IGBTトランジスタ
パッケージ数: 600 PCS
サブカテゴリ:IGBT
単位重量: 6,100 g
STGWA20H65DFB2 ST トランジスタ 20 A 高速 HB2 シリーズ IGBT TO-247
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