単一のIGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721Wの分離した半導体のトランジスター

型式番号:IKY100N120CH7XKSA1
原産地:CN
最低順序量:10
支払の言葉:T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間:5-8の仕事日
包装の細部:TO-247-4
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Shenzhen China
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製品詳細 会社概要
製品詳細

単一のIGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721Wの分離した半導体のトランジスター

 

IKY100N120CH7XKSA1の製品の説明

IKY100N120CH7XKSA1は完全な評価される現在とであり、共同でいっぱいの、高速1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 7の技術超高速の回復ソフト整流するQrrの低いエミッターは7急速なダイオードを制御した。

 

IKY100N120CH7XKSA1の指定

部品番号:

IKY100N120CH7XKSA1

逆の回復時間:

149 Ns

実用温度:

-40°C | 175°C (TJ)

ゲート エミッターの境界の電圧:

6.2 V

ゼロ ゲート電圧コレクター流れ:

40 µA

ゲート エミッターの漏出流れ:

100 NA


IKY100N120CH7XKSA1特徴

  • 高速堅い転換の地勢学の高性能のために最大限に活用される

  • VCEsatの肯定的な温度係数による容易な平行になる機能

  • Pbなしの鉛のめっき;迎合的なRoHS

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

MKL27Z32VFM4

QFN32

BA9743AFV

TSSOP16

BA7655AF

SOP-8

BA7664AFV

MSOP8

FXLS8471QR1

QFN-16

WM8759GED

SOP14

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

China 単一のIGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721Wの分離した半導体のトランジスター supplier

単一のIGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721Wの分離した半導体のトランジスター

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