ショットキーバリア・ダイオードの電子工学のダイオードICの破片BAS85,135

型式番号:BAS85

原産地:中国

最低順序量:100pcs

支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal

供給の能力:6200PCS

受渡し時間:1日

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ChongMingのグループ（HK）国際的なCo.、株式会社

正会員

Shenzhen China

住所：部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

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製品詳細会社概要

製品詳細

ショットキーバリア・ダイオードの電子工学のダイオードICの破片BAS85

BAS85ショットキーのバリア・ダイオード

特徴

•低い前方電圧

•高い絶縁破壊電圧

•保護される監視リング

•Hermetically-sealed小さいSMDのパッケージ。

記述

静電気放電に対する統合された保護リングが付いている平面のショットキーバリア・ダイオード。この表面の取付けられたダイオードは各端にスズメッキをされた金属ディスクが付いている密封状態で密封されたSOD80CガラスSMDのパッケージで内部に閉じ込められる。それは「自動配置」のために適して、そのように液浸のはんだ付けに抗できる。

適用

•超高速切換え

•電圧締め金で止めること

•保護回路

•ダイオードの妨害。

記号変数状態

MIN. MAX。単位VRの連続的な逆電圧− 30 V

連続的な前方現在なら− 200 mA

（現在の先のAV）平均VRWM = 25ボルト;a = 1.57;δ = 0.5;

ノート1;先のFig.2 − 200 mA IFRMの反復的なピーク現在のTPの≤ 1 s;δの≤ 0.5の− 300 mA I

現在の先のFSMの非反復ピークTP = 10人の氏の− 5 A

Tstgの保管温度−65 +150の°C

Tjの接合部温度の− 125の°C

周囲温度−65 +125の°Cを作動させるTamb

記号	変数	条件	MAX	単位
VF	前方電圧	=0.1mAなら =1mAなら =10mAなら =30mAなら =100mAなら	240 320 400 500 800	mV mV mV mV mV
IR		Vr=25V	2.3	uA
CD	ダイオードキャパシタンス	f=1 MHz Vr=1V	10	pF