P4NK60ZFP力Mosfetのトランジスター高い発電mosfetのトランジスター
型式番号:P4NK60ZFP
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:8760pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| MAX191BCWG+ | 2338 | 格言 | 16+ | SOIC-24 |
| MAX1932ETC+T | 3044 | 格言 | 13+ | QFN |
| MAX232EIDR | 50000 | チタニウム | 13+ | SOP-16 |
| MAX232IDW | 9003 | チタニウム | 11+ | SOP-16 |
| MAX253CSA+ | 6562 | 格言 | 14+ | SOP-8 |
| MAX3051EKA+T | 3853 | 格言 | 14+ | SOT-23 |
| MAX3061EEKA | 4024 | 格言 | 15+ | SOT23-8 |
| MAX3070EESD | 5557 | 格言 | 16+ | SOP-14 |
| MAX31865ATP+T | 3707 | 格言 | 16+ | QFN20 |
| MAX3221ECPWR | 3059 | チタニウム | 16+ | TSSOP |
| MAX3224ECAP | 4095 | 格言 | 16+ | SSOP-20 |
| MAX3232CPWR | 5697 | チタニウム | 16+ | TSSOP |
| MAX3232CUE | 3986 | 格言 | 16+ | TSSOP |
| MAX3232EIDR | 3667 | チタニウム | 16+ | SOP-16 |
| MAX3238ECPWR | 8331 | チタニウム | 10+ | TSSOP |
| MAX3243CDBR | 3590 | チタニウム | 14+ | SSOP-28 |
| MAX3243ECDBR | 6741 | チタニウム | 09+ | SSOP-28 |
| MAX32590-LNJ+ | 553 | 格言 | 13+ | NA |
| MAX3311CUB | 2302 | 格言 | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3311EEUB | 2324 | 格言 | 16+ | MSOP-10 |
| MAX3442EEPA+ | 3095 | 格言 | 16+ | DIP-8 |
| MAX3442EESA+T | 5829 | 格言 | 16+ | SOP-8 |
| MAX3486CSA | 15889 | 格言 | 16+ | SOP-8 |
| MAX3490CSA+ | 11077 | 格言 | 13+ | SOP-8 |
| MAX4080SASA+T | 15089 | 格言 | 16+ | SOP-8 |
| MAX418CPD | 3034 | 格言 | 14+ | DIP-14 |
| MAX4624EZT | 15171 | 格言 | 16+ | SOT23-6 |
| MAX4663CAE | 2151 | 格言 | 16+ | SSOP-16 |
| MAX472CPA | 4115 | 格言 | 15+ | DIP-8 |
| MAX491CPD+ | 14840 | 格言 | 16+ | DIP-14 |
STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1
STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1
N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK
SuperMESH™Power Zener保護されたMOSFET
■典型的なRDSの（） = 1.76のΩ
■非常に高いdv/dtの機能
■100%のなだれはテストした
■ゲート充満は最小になった
■まさに低く本質的なキャパシタンス
■まさによい製造REPEATIBILITY
記述
SuperMESH™シリーズはSTの確立したstripbased PowerMESH™のレイアウトの極度な最適化によって得られる。オン抵抗をかなり押下げることに加えて最もデマンドが高い適用のための非常によいdv/dtの機能を保障するために、特別な注意は取られる。そのようなシリーズはMDmesh™革命的なプロダクトを含む高圧MOSFETsのフル レンジSTを補足する。
適用
■高い流れ、高速切換え
■オフ・ラインの電源、アダプターおよびPFCのための理想
■照明
絶対最高評価
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 | ||
STP4NK60Z STB4NK60Z STB4NK60Z-1 | STP4NK60ZFP | STD4NK60Z STD4NK60Z-1 | |||
| VDS | 下水管源の電圧（VGS = 0） | 600 | V | ||
| VDGR | 下水管ゲートの電圧（RGS = 20 kΩ） | 600 | V | ||
| VGS | ゲート源電圧 | ± 30 | V | ||
| ID | 現在を（連続的）でTC = 25°C流出させなさい | 4 | 4 （*） | 4 | |
| ID | 現在を（連続的）でTC = 100°C流出させなさい | 2.5 | 2.5 （*） | 2.5 | |
| IDM （•か。） | 下水管の流れ（脈打つ） | 16 | 16 （*） | 16 | |
| PTOT | 総消滅のTC = 25°C | 70 | 25 | 70 | W |
| 要因の軽減 | 0.56 | 0.2 | 0.56 | With°C | |
| VESD （G-S） | ゲートの源ESD （HBM-C=100pF、R=1.5KΩ） | 3000 | V | ||
| dv/dt （1） | ピーク ダイオードの回復電圧斜面 | 4.5 | V/ns | ||
| VISO | 絶縁材の抵抗電圧（DC） | - | 2500 | - | V |
Tj Tstg | 作動の接合部温度 保管温度 | -55から150 -55から150 | °C | ||
（•か。か。）安全運転区域限られる脈拍幅
（1） ISD ≤4A、di/dt ≤200A/µsのVDDの≤ V （BR） DSSのTjの≤ TJMAX。
（*）割り当てられた最高温度がによってだけ限った
P4NK60ZFP力Mosfetのトランジスター高い発電mosfetのトランジスター
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