LF347N電子ICの破片はJFETを入れた演算増幅器を四つ揃えにする

LF147/LF347広い帯域幅のクォードJFETは演算増幅器を入れた

概説

LF147は安価、高速クォードJFET入れた内部的に整えられた入力オフセットの電圧（BI-FET II™の技術）の演算増幅器をである。装置は低い供給の流れを要求したり今までのところでは大きい利益帯域幅プロダクトおよび速いスルー・レートを維持する。さらに、よく高圧JFETの入力装置に非常に低い入力バイアスおよびオフセット流れを提供するために一致させた。LF147は標準的なLM148と互換性があるピンである。この特徴はデザイナーがすぐに既存のLF148およびLM124設計の全面的な性能を改善することを可能にする。

LF147は低い入力オフセットの電圧を、低い入力バイアス現在要求する、高速積分器のような適用で、速いD/Aのコンバーター、sample-and-hold回路および他の多くの回路高い入力インピーダンス、高いスルー・レートおよび広い帯域幅使用されるかもしれない。装置は低雑音およびオフセット電圧漂流を備えている。

特徴

• 内部的には整えられたオフセットの電圧:最高5 mV
• 低い入力バイアス流れ:50 pA
• 低い入力騒音の流れ:0.01pA/√HZ
• 広い利益帯域幅:4つのMHz
• 高いスルー・レート:13 V/µs
• 低い供給の流れ:7.2 mA
• 高い入力インピーダンス:1012のΩ
• 低い総高調波ひずみAV =10、: <0>L=10k、VO =20 Vp-p、BW=20 Hz−20 kHz
• 低い1/f騒音のコーナー:50のHz
• 0.01%への速い演算時間: 2つのµs

絶対最高評価（ノート2）

軍/宇宙航空指定装置が要求されたら、供給および指定のための国民の半導体の営業所のディストリビューターに連絡しなさい。

ノート2:絶対最高評価は装置へのどの損傷が起こるかもしれないかを越える限界を示す。作動の評価は装置が機能であるが示したり、特定のパフォーマンスの限界を保証しない条件を。

ノート3:他に特に規定がなければ絶対最高の否定的な入力電圧は否定的な電源電圧と等しい。

ノート4:アンプの出力のうちのどれかが不明確にひくためにショートさせることができるが、複数は最高の接合部温度として超過する同時にショートするべきではない。

ノート5:高温の作動のために、これらの装置はθjAの熱抵抗に基づいて軽減されなければならない。

ノート6:LF147はLF347BおよびLF347は最高Tjに商業温度較差0˚C≤TA≤70˚C.の接合部温度で利用できる上がることができる=150˚C.が、軍の温度較差−55˚C≤TA≤125˚Cで利用できる。

ノート7:他に特に規定がなければ指定は完全な温度較差にそしてLF147とLF347B/LF347のVS=±15VのVS=±20Vに適用する。VOS、IBおよびIOSはVCM=0で測定される。

ノート8:入力バイアス流れは接合部温度のあらゆる10˚C増加のためにおよそ倍増する接続点の漏出流れ、Tjである。限られた生産テスト時間が原因で、測定される入力バイアス流れは接合部温度に関連する。正常運営では接合部温度は内部電力損失、PDの結果として周囲温度の上に上がる。θjAが接続点からの包囲されたへの熱抵抗であるところTj=TA+θjAPD。脱熱器の使用は入力バイアス流れが最低限におさえられるべきなら推薦される。

ノート9:供給電圧の除去率はLF347そしてLF347Bのために一般的な方法に従って対から=±5Vに±15VおよびLF147のために対から=±20Vに±5V同時に増加するか、または減る両方の供給の大きさのために測定される。

ノート10:LF147DおよびLF147Jの軍の指定のためのRETS147Xを参照しなさい。

ノート11:最高。電力損失はパッケージの特徴によって定義される。最高の近くの部分の作動。電力損失により部品は保証された限界の外で作動するかもしれない。

ノート12:人体モデル、100pFのシリーズの1.5kΩ。

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