2N7002LT1G NチャネルMosfetのトランジスター、115mA Mosの電界効果トランジスタ

型式番号:2N7002LT1G

最低順序量:私達に連絡しなさい

支払の言葉:Paypal、ウェスタンユニオン、TT

供給の能力:1日あたりの50000部分

受渡し時間:商品は一度3日以内に受け取った資金を出荷される

包装の細部:SOT23-3

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Shenzhen China

住所：部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

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製品詳細会社概要

製品詳細

2N7002LT1G Mosfet力トランジスターMOSFET 60V 115mAのN-Channel

特徴

•独特な場所および制御変化の条件を要求する自動車および他の適用のための2V接頭辞;AEC−Q101は可能なPPAP修飾し、（2V7002L）

•これらの装置はPb−Freeの自由なハロゲンFree/BFR迎合的なRoHSである

最高の評価

評価	記号	価値	単位
Drain−Sourceの電圧	VDSS	60	Vdc
Drain−Gateの電圧（RGS = 1.0 MW）	VDGR	60	Vdc
現在を流出させなさい連続的な− TC = 25°C （連続的なノート1）の− TC = 100°C （ノート1）の−脈打つ（ノート2）	ID ID IDM	± 115の± 75の± 800	mAdc
Gate−Sourceの電圧連続的な− − Non−repetitive （TPの≤ 50氏）	VGS VGSM	± 20の± 40	Vdc Vpk

熱特徴

特徴	記号	最高	単位
総装置消滅FR−5板（ノート3） TA = 25°C 25°Cの上で軽減しなさい熱抵抗、Junction−to−Ambient	PD RqJA	225 1.8 556	MW mW/°C °C/W
総装置消滅（ノートの4）は25°Cの上でアルミナの基質、TA = 25°C軽減する熱抵抗、Junction−to−Ambient	PD RqJA	300 2.4 417	MW mW/°C °C/W
接続点および保管温度	TJ、Tstg	− 55に+150	°C

商品のタグ：

pチャネルモスフェットソット-23 nチャネルモスフェットトランジスタ 2sc5200相当トランジスタ

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