TXB0104PWRはプログラム可能な性能の破片、ICのメモリー チップ5のμA最高のICCを錠剤にする

型式番号:TXB0104PWR
最低順序量:私達に連絡しなさい
支払の言葉:Paypal、ウェスタンユニオン、TT
供給の能力:1日あたりの50000部分
受渡し時間:商品は一度3日以内に受け取った資金を出荷される
包装の細部:TSSOP14
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

TXB0104PWRのプログラム可能な論理ICSの電圧レベルの4ビット二方向のVレベルの訳者


1特徴

  • 1.2-Vへの港の3.6-Vおよび1.65-VへのBの港(VCCAの≤ VCCB)の5.5-V
  • VCC分離の特徴:どちらかのVCC入力がGNDにあれば、すべての出力はHigh-Impedance州にある
  • 出力は(OE) VCCAに参照される入力回路を可能にする
  • 低い電力の消費、5-μA最高ICC
  • 私は部分的なパワー モードを支える
  • 操作
  • Latch-Upの性能はJESD 78のクラスごとの100 mAをII超過する

2つの適用

  • ヘッドホーン

  • Smartphones

  • タブレット

  • デスクトップ パソコン


3記述

このTXB0104 4ビットnoninverting訳者は2つの別々の構成可能のパワー供給の柵を使用する。Aの港はVCCAを追跡するように設計されている。VCCAは1.2ボルトからの3.6 V.に供給電圧を受け入れる。Bの港はVCCBを追跡するように設計されている。VCCBは1.65ボルトからの5.5 V.に供給電圧を受け入れる。これは1.2-V、1.5-V、1.8-V、2.5-V、3.3-Vおよび5-V電圧ノードの何れか間の普遍的な低電圧の二方向翻訳を可能にする。VCCAはVCCBを超過してはならない。

OEの入力が低いとき、すべての出力はhigh-impedance州に置かれる。か力保障するためにはの上の力の間に高インピーダンス州を、OEは運転者の現在の調達の機能が抵抗器の最小値を定めるpulldownの抵抗器を通したGNDに結ばれなければならない。

TXB0104装置は設計されている従ってOEの入力回路はVCCAによって供給される。

この装置は私を使用して部分的なパワー適用のために十分に指定される。装置が動力を与えられるとき装置を通して現在の逆流を損なうことを防ぐ回路部品を離れたIは出力を不具にする。

装置情報

部品番号

パッケージ

サイズ(NOM)

TXB0104RUT

UQFN (12)

× 2.00 mmの1.70 mm

TXB0104D

SOIC (14)

× 8.65 mmの3.91 mm

TXB0104ZXU/GXU

BGA MICROSTAR JUNIORTM (12)

× 2.00 mmの2.50 mm

TXB0104PW

TSSOP (14)

× 5.00 mmの4.40 mm

TXB0104RGY

VQFN (14)

× 3.50 mmの3.50 mm

TXB0104YZT

DSBGA (12)

× 1.40 mmの1.90 mm

China TXB0104PWRはプログラム可能な性能の破片、ICのメモリー チップ5のμA最高のICCを錠剤にする supplier

TXB0104PWRはプログラム可能な性能の破片、ICのメモリー チップ5のμA最高のICCを錠剤にする

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