SMD/SMTの電界効果トランジスタの大規模集積回路の保護IRF8736TRPBF 30V 18A

型式番号:IRF8736TRPBF
最低順序量:交渉可能
支払の言葉:T/T、D/P、D/A、L/C、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:利用できる量300000部分
受渡し時間:すぐに出荷できる
プロダクト モデル:IRF8736TRPBF
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住所: COMM CRT 2-16 FAYUEN RM4,16/F HO王ST MONGKOKKL
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 16 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

Mosfetの電界効果トランジスタの大規模集積回路の保護IRF8736TRPBF 30V 18A

製品範囲
  • MOSFET MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC
基本データ
製品特質属性値
Infineon
製品カテゴリ:MOSFET
RoHS:細部
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1つのチャネル
30ボルト
18 A
6.8のmOhms
- 20ボルト、+ 20ボルト
1.8 V
17 NC
- 55 C
+ 150 C
2.5 W
強化
巻き枠
テープを切りなさい
巻き枠
ブランド:インフィニオン・テクノロジーズ
構成:単一
高さ:1.75 mm
長さ:4.9 mm
製品タイプ:MOSFET
4000
下位範疇:MOSFETs
トランジスター タイプ:1つのN-Channel
幅:3.9 mm
部分#別名:IRF8736TRPBF SP001551638
単位重量:0.019048 oz
適用
  • ノート プロセッサ力のための同期MOSFET
  • 隔離されたDC-DCのコンバーターのための同期整流器MOSFET
  • 転換の適用
  • BLDCモーター
  • 三相永久マグネット同期電動機
  • インバーター
  • 半分橋運転者
  • ロボティック制御システム
  • 電気器具
  • 格子下部組織
  • EPOS•家のtheate
  • 分散パワー系統
  • コミュニケーション/ネットワーキングの下部組織
ダウンロードのデータ用紙
  • IPD060N03LGATMA1電界効果トランジスタの破片の分離した半導体回路の保護
順序プロセス

RFQの形態に部品を加えなさいRFQを堤出しなさい私達は24時間以内に答える
順序を確認する支払船あなたの順序

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破片の図表

China SMD/SMTの電界効果トランジスタの大規模集積回路の保護IRF8736TRPBF 30V 18A supplier

SMD/SMTの電界効果トランジスタの大規模集積回路の保護IRF8736TRPBF 30V 18A

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