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部分の状態 | 時代遅れ |
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FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 30V |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 65A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | - |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 3V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 1290pF @ 25V |
Vgs (最高) | - |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 50W (Tc) |
(最高) @ ID、VgsのRds | 7.3 mOhm @ 32.5A、10V |
実用温度 | -55°C | 175°C (TJ) |
タイプの取付け | 穴を通して |
製造者装置パッケージ | 私朴 |
パッケージ/場合 | TO-251-3不足分の鉛、IPak、TO-251AA |
郵送物 | 明白なUPS/EMS/DHL/FedEx。 |
条件 | 新しい元の工場。 |