製品
サプライヤー
Sign in
Register
Shenzhen Huahao Gaosheng Technology Co., Ltd
シンセンのhuahaogaoshengの技術Co.、株式会社 顧客の要求、私達の追求。
Manufacturer from China
正会員
3 年
ホーム
製品カタログ
会社概要
品質管理
お問い合わせ
引用を要求
日本語
English
Français
Русский язык
Español
Português
集積回路の破片 (209)
フラッシュ・メモリIC (136)
導かれた運転者IC (276)
プログラム可能なICの破片 (192)
コンピュータICは欠ける (160)
MCU マイコンユニット (274)
Mosfet力トランジスター (226)
アンプICは欠ける (192)
表面の台紙の発振器 (2910)
力管理破片 (10)
コントローラーICの破片 (5)
電子ICの破片 (10)
電子部品アクセサリ (4)
ホーム
/
製品
/
Mosfet Power Transistor
/
単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS
/
show pictures
製品カテゴリ
集積回路の破片
[209]
フラッシュ・メモリIC
[136]
導かれた運転者IC
[276]
プログラム可能なICの破片
[192]
コンピュータICは欠ける
[160]
MCU マイコンユニット
[274]
Mosfet力トランジスター
[226]
アンプICは欠ける
[192]
表面の台紙の発振器
[2910]
力管理破片
[10]
コントローラーICの破片
[5]
電子ICの破片
[10]
電子部品アクセサリ
[4]
企業との接触
Shenzhen Huahao Gaosheng Technology Co., Ltd
シティ：
shenzhen
国/地域：
china
連絡窓口：
MrJack
表示連絡先の詳細
企業との接触
単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS
製品の詳細
高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C （TJ） パッケージ: TO263-3 D2PAK 高いライト: nチャネルmosfetのトランジスター 、 nチ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
高性能モスフェット
標準電源モスフェット
モスフェット 高電力
