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シンセンHuahao Gaoshengの技術Co.、株式会社

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集積回路の破片

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フラッシュ・メモリIC

 [40]

LEDの運転者IC

 [34]

プログラム可能なICの破片

 [40]

コンピュータICは欠ける

 [38]

MCUのマイクロ制御回路単位

 [21]

Mosfet力トランジスター

 [13]

アンプICは欠ける

 [10]

表面の台紙の発振器

 [10]

力管理破片

 [10]

コントローラーICの破片

 [10]

電子ICの破片

 [10]

電子部品アクセサリ

 [4]
企業との接触
シンセンHuahao Gaoshengの技術Co.、株式会社
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単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS
単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS
  • 単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS
  • 単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS
製品の詳細
高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C （TJ） パッケージ: TO263-3 D2PAK 高いライト: nチャネルmosfetのトランジスター 、 nチ...
製品詳細図 →
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高性能モスフェット 標準電源モスフェット モスフェット 高電力

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