17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル

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17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル

型式番号:IRFR024NTRPBF

原産地:元の工場

最低順序量:最低順序量: 10 PCS

支払の言葉:先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer

供給の能力:1000

受渡し時間:3daysの中では

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シンセンHuahao Gaoshengの技術Co.、株式会社

正会員

Shenzhen China

住所： 2A2003の建物2のBaohujuの庭、200 Huaqingの道、Qinghuのコミュニティ、Longhuaの通り、竜華区、シンセン

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製品詳細会社概要

製品詳細

表面の台紙の高い発電のトランジスターIRFR024NTRPBF D-朴N-チャネル55V 17A 45W

詳しい製品の説明

FETのタイプ:	N-Channel	実用温度:	-55°C \| 175°C
湿気感受性のレベル（MSL）:	1 （無制限）	無鉛状態/RoHSの状態:	迎合的な無鉛/RoHS
高いライト:	高い発電mosfetのトランジスター、 nチャネルmosfetのトランジスター

FETのタイプ:

N-Channel

実用温度:

-55°C | 175°C

湿気感受性のレベル（MSL）:

1 （無制限）

無鉛状態/RoHSの状態:

迎合的な無鉛/RoHS

高いライト:

高い発電mosfetのトランジスター

、

nチャネルmosfetのトランジスター

迎合的なIRFR024NTRPBF D-PAKのN-Channel 55V 17A 45Wの表面の台紙RoHS

特徴

l超低いオン抵抗

l表面の台紙（IRFR024N）

lまっすぐな鉛（IRFU024N）

lは加工技術を進めた

l速い切換え

評価される十分にlなだれ

FETのタイプ	N-Channel
技術	MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）	55V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C	17A （Tc）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）	10V
（最高） @ ID、VgsのRds	75 mOhm @ 10A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID	4V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs （最高）	±20V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds	370pF @ 25V
FETの特徴	-
電力損失（最高）	45W （Tc）
実用温度	-55°C \| 175°C （TJ）
タイプの取付け	表面の台紙

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IDT89H48H12G2ZCBLG	IDT	B360A-13-F	ダイオード
ATMLU826	ATMEL/ADESTO	APL5501-30BC-TRL	ANPEC
ADS774JP	BB	88F6820-A0-BRT2C120	MARVELL
3352E-1-103LF	BOURNS	74F5074B

商品のタグ：

irf520 モスフェットトライアック・ディミング・ドライバー 7段の共通アンード

17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル

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