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China 17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル supplier

17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル

17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル

型式番号:IRFR024NTRPBF
原産地:元の工場
最低順序量:最低順序量: 10 PCS
支払の言葉:先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer
供給の能力:1000
受渡し時間:3daysの中では
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Shenzhen Huahao Gaosheng Technology Co., Ltd
正会員
Shenzhen China
住所： 2A2003の建物2のBaohujuの庭、200 Huaqingの道、Qinghuのコミュニティ、Longhuaの通り、竜華区、シンセン
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製品詳細 会社概要
製品詳細

表面の台紙の高い発電のトランジスターIRFR024NTRPBF D-朴N-チャネル55V 17A 45W

 

詳しい製品の説明
FETのタイプ:N-Channel実用温度:-55°C | 175°C
湿気感受性のレベル（MSL）:1 （無制限）無鉛状態/RoHSの状態:迎合的な無鉛/RoHS
高いライト:

高い発電mosfetのトランジスター

、

nチャネルmosfetのトランジスター

 

 

迎合的なIRFR024NTRPBF D-PAKのN-Channel 55V 17A 45Wの表面の台紙RoHS

特徴
l超低いオン抵抗
l表面の台紙（IRFR024N）
lまっすぐな鉛（IRFU024N）
lは加工技術を進めた
l速い切換え
評価される十分にlなだれ
FETのタイプN-Channel 
技術MOSFET （金属酸化物） 
流出させなさいに源の電圧（Vdss）55V 
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C17A （Tc） 
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）10V 
（最高） @ ID、VgsのRds75 mOhm @ 10A、10V 
Vgs （（最高） Th） @ ID4V @ 250µA 
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs20nC @ 10V 
Vgs （最高）±20V 
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds370pF @ 25V 
FETの特徴- 
電力損失（最高）45W （Tc） 
実用温度-55°C | 175°C （TJ） 
タイプの取付け表面の台紙

 

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商品のタグ：
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China 17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル supplier

17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル

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