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シンセンHuahao Gaoshengの技術Co.、株式会社

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ホーム / 製品 / Mosfet Power Transistor / 17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル /

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集積回路の破片

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フラッシュ・メモリIC

 [40]

LEDの運転者IC

 [34]

プログラム可能なICの破片

 [40]

コンピュータICは欠ける

 [38]

MCUのマイクロ制御回路単位

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Mosfet力トランジスター

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アンプICは欠ける

 [10]

表面の台紙の発振器

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力管理破片

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コントローラーICの破片

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電子ICの破片

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電子部品アクセサリ

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シンセンHuahao Gaoshengの技術Co.、株式会社
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17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル
17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル
  • 17a 55v 45wの高い発電のトランジスター表面の台紙IRFR024NTRPBF D朴Nチャネル
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製品の詳細
表面の台紙の高い発電のトランジスターIRFR024NTRPBF D-朴N-チャネル55V 17A 45W 詳しい製品の説明 FETのタイプ: N-Channel 実用温度: -55°C | 175°C 湿気感受性のレベル（MSL）: 1 （無制限） 無鉛状態/RoHSの状態: 迎合的な無鉛/RoHS ...
製品詳細図 →
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irf520 モスフェット トライアック・ディミング・ドライバー 7段の共通アンード

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