43A 200v Mosfet力トランジスターSMPS nチャネルIRFB38N20DPBF 3.8W 300W

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43A 200v Mosfet力トランジスターSMPS nチャネルIRFB38N20DPBF 3.8W 300W

型式番号:IRFB38N20DPBF

原産地:元の製造業者

最低順序量:最低順序量: 10 PCS

支払の言葉:先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer

供給の能力:1000

受渡し時間:3daysの中では

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Shenzhen Huahao Gaosheng Technology Co., Ltd

正会員

Shenzhen China

住所： 2A2003の建物2のBaohujuの庭、200 Huaqingの道、Qinghuのコミュニティ、Longhuaの通り、竜華区、シンセン

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製品詳細会社概要

製品詳細

200V 43A 3.8W 300W MOSFET力トランジスターIRFB38N20DPBF N-チャネルSMPS MOSFET

FETのタイプ:	N-Channel	源の電圧に流出させなさい:	200V
現在-連続的な下水管:	43A	ドライブ電圧:	10V
高いライト:	高い発電mosfetのトランジスター、 nチャネルmosfetのトランジスター

FETのタイプ:

N-Channel

源の電圧に流出させなさい:

200V

現在-連続的な下水管:

43A

ドライブ電圧:

10V

高いライト:

高い発電mosfetのトランジスター

、

nチャネルmosfetのトランジスター

IRFB38N20DPBFのN-Channel 200V 43A 3.8W 300Wを通した穴TO-220AB SMPS MOSFET

適用

l高周波DC-DCのコンバーター

l TO-220は無鉛ようにPbFで利用できる

利点

損失を転換することを減るべきl低いゲートに下水管充満

lは十分に設計を簡単にするために有効なCOSSを含むキャパシタンスを特徴付けた（SeeApp。ノートAN1001）

lは十分になだれの電圧および流れを特徴付けた

FETのタイプ	N-Channel
技術	MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）	200V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C	43A （Tc）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）	10V
（最高） @ ID、VgsのRds	54 mOhm @ 26A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID	5V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs （最高）	±20V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds	2900pF @ 25V
FETの特徴	-
電力損失（最高）	3.8W （Ta）、300W （Tc）
実用温度	-55°C \| 175°C

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商品のタグ：

irfz44n モスフェット irf520 モスフェット p55nfo パワーモスフェット

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