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迎合的なIRFR024NTRPBF D-PAK Nチャネル55V 17A 45Wの表面の台紙RoHS
FETのタイプ | Nチャネル | |
---|---|---|
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させて下さいに源の電圧(Vdss) | 55V | |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 17A (Tc) | |
運転して下さい電圧(最高Rds、分Rdsを) | 10V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 75 mOhm @ 10A、10V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4V @ 250µA | |
充満((最高) Qg) @ Vgsをゲートで制御して下さい | 20nC @ 10V | |
Vgs (最高) | ±20V | |
入力キャパシタンス(Ciss) (最高) @ Vds | 370pF @ 25V | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 45W (Tc) | |
実用温度 | -55°C | 175°C (TJ) | |
土台のタイプ | 表面の台紙 |
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