IRFR9024NTRPBFの集積回路ICの破片P-チャネルMOSFET 55V 11A 38Wの表面の台紙D-朴
型式番号:IRFR9024NTRPBF
原産地:中国
最低順序量:20 pcs
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、T/T、Paypal
供給の能力:相談
受渡し時間:2〜3営業日
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Shenzhen Guangdong China
住所：
C12FのHuaqiangの広場、Huaqiangbeiシンセン、中国518031
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRFR9024NTRPBF PチャネルMOSFET 55V 11A 38Wの表面の台紙D朴
特徴:
超低いオン抵抗
Pチャネル
表面の台紙
高度の加工技術
速い切換え
評価される十分になだれ
迎合的な無鉛RoHS
| FETのタイプ | Pチャネル |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させて下さいに源の電圧（Vdss） | 55V |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 11A （Tc） |
| 運転して下さい電圧（最高Rds、分Rdsを） | 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 175 mOhm @ 6.6A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 4V @ 250µA |
| 充満（（最高） Qg） @ Vgsをゲートで制御して下さい | 19nC @ 10V |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入力キャパシタンス(Ciss) （最高） @ Vds | 350pF @ 25V |
| FETの特徴 | - |
| 電力損失（最高） | 38W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 150°C |
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IRFR9024NTRPBFの集積回路ICの破片P-チャネルMOSFET 55V 11A 38Wの表面の台紙D-朴
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