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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
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Mosfet Power Transistor
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100mA 230MHz RF MosfetのトランジスターLDMOS 600ワットMRFE6VP5600HR5
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集積回路ICの破片
[1016]
プログラム可能な IC の破片
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[86]
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[48]
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[26]
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[22]
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[14]
表面の台紙の発振器
[16]
ロッカー スイッチ部品
[6]
高出力 led チップ
[6]
金属酸化物バリスター
[4]
企業との接触
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
シティ：
shenzhen
省/州：
guangdong
国/地域：
china
連絡窓口：
MrZhu
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企業との接触
100mA 230MHz RF MosfetのトランジスターLDMOS 600ワットMRFE6VP5600HR5
製品の詳細
MRFE6VP5600HR5 RF Mosfet LDMOS （二重） 50V 100mA 230MHz 25dB 600W NI-1230 これらの高い険しさ装置は高いVSWRの使用のために産業の（を含むレーザーおよび血しょう刺激物）、放送の（アナログおよびデジタル）、宇宙航空および無線/土地の移...
製品詳細図 →
商品のタグ：
高性能IGBT
パワートランジスタ 2n3055
高功率IGBTモジュール
