IGBT 600V 22A 156Wはゲートの両極トランジスターIRGB10B60KDPBFを絶縁した
型式番号:IRGB10B60KDPBF
原産地:ドイツ
最低順序量:5-10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:10,000pcs
受渡し時間:標準的な2-3days
企業との接触
Add to Cart
確認済みサプライヤー
Shenzhen Guangdong China
住所：
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 41 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IRGB10B60KDPBF #超高速の柔らかい回復ダイオードIGBTが付いている絶縁されたゲートの両極トランジスター
600V 22A 156W TO220AB
特徴
•低いVCEはIGBTの技術によって（）非打つ。
•低いダイオードVF。
•10µs短絡の機能。
•正方形RBSOA。
•Ultrasoftダイオードの逆の回復特徴。
•肯定的なVCEの（）温度係数。
•無鉛
利点
•運動制御のための基準の効率。
•険しく一時的な性能。
•低いEMI。
•優秀な現在操作を並行して共有する。
| 部品番号 | IRGB10B60KDPBF |
| 製造業者 | Infineon |
| 部門の分離した半導体製品のトランジスター- IGBTs -単一の製造業者 | Infineon |
| 包装 | 管 |
| 原物 | ドイツ |
| 部分の状態 | 活動的 |
| IGBTのタイプ | NPT |
| 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） | 600V |
| 現在-コレクター（（最高） IC） | 22A |
| 現在-脈打つコレクター（Icm） | 44A |
| Vce （） （最高） @ Vge IC | 2.2V @ 15V 10A |
| パワー最高 | 156W |
| 転換エネルギー | 140µJ （） 250µJ （） |
| 入れられたタイプ | 標準 |
| ゲート充満 | 38nC |
デリカテッセンの電子工学のtehcnology Co.、株式会社。
電子メール:sales3@deli-ic.com
Skype:hkdeli881
接触:VIVI-CHEN
電子メール:sales3@deli-ic.com
Skype:hkdeli881
接触:VIVI-CHEN
IGBT 600V 22A 156Wはゲートの両極トランジスターIRGB10B60KDPBFを絶縁した
お問い合わせカート
0