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デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
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General Purpose Rectifier Diode
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IGBT 600V 22A 156Wはゲートの両極トランジスターIRGB10B60KDPBFを絶縁した
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ICのメモリー チップ
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[149]
UVC LEDランプ
[49]
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[60]
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[64]
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[29]
SMDのチップ・コンデンサ
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IGBT力モジュール
[26]
サイリスタ モジュール
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企業との接触
デリカテッセンの電子工学の技術CO.、株式会社
シティ：
shenzhen
省/州：
guangdong
国/地域：
china
連絡窓口：
MrsVIVI
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企業との接触
IGBT 600V 22A 156Wはゲートの両極トランジスターIRGB10B60KDPBFを絶縁した
製品の詳細
IRGB10B60KDPBF #超高速の柔らかい回復ダイオードIGBTが付いている絶縁されたゲートの両極トランジスター 600V 22A 156W TO220AB 特徴 •低いVCEはIGBTの技術によって（）非打つ。 •低いダイオードVF。 •10µs短絡の機能。 •正方形RBSOA。 ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
隔離ゲート双極トランジスタ igbt
igbtゲート電圧
mosfetのigbt
