5G BAW装置のための2インチのサファイアの基質のAlNの型板の層のウエファー
型式番号:2inch AlNサファイア
原産地:中国
最低順序量:5pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:50PCS/Month
受渡し時間:30days
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Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
2inch 4iinch 6Inchのサファイアはサファイアの基質にAlNの型板のAlNのフィルムを基づかせていた
5G BAW装置のためのサファイアの基質のAlNの型板の層のウエファーの2inch
適用の AlNの型板
私達のOEMは専有技術のそして芸術PVTの成長リアクターおよび設備状態の連続に開発した
AlNの良質の単一の結晶のウエファー、AlNのtemlpatesの異なったサイズを製造しなさい。私達は少数のworld-leadingの1才である
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の結晶成長模倣およびシミュレーション、プロセス設計および最適化、
wafering、物質的なcharacterizaか。tion。2019年4月まで、それらは27以上のパテントを適用した（を含むPCT）。
指定
CHのaracteristic指定
他のrelaterd 4INCH GaNの型板の指定
| GaN/のAlの₂ Oの₃の基質（4"） 4inch | |||
| 項目 | Un-doped | Nタイプ | 高添加される Nタイプ |
| サイズ（mm） | Φ100.0±0.5 （4"） | ||
| 基質の構造 | サファイア（0001）のGaN | ||
| SurfaceFinished | （標準:SSPの選択:DSP） | ||
| 厚さ（μm） | 4.5±0.5;20±2;カスタマイズされる | ||
| 伝導のタイプ | Un-doped | Nタイプ | 高添加されたNタイプ |
| 抵抗（Ω·cm） （300K） | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaNの厚さの均等性 | ≤±10% （4"） | ||
| 転位密度（cm-2） | ≤5×108 | ||
| 使用可能な表面積 | >90% | ||
| パッケージ | クラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。 | ||
| 結晶構造 | ウルツ鉱 |
| 格子定数（Å） | a=3.112、c=4.982 |
| 伝導帯のタイプ | 直接bandgap |
| 密度（g/cm3） | 3.23 |
| 表面のmicrohardness （Knoopテスト） | 800 |
| 融点（℃） | 2750 （N2の10-100棒） |
| 熱伝導性（W/m·K） | 320 |
| バンド ギャップ エネルギー（eV） | 6.28 |
| 電子移動度（V·s/cm2） | 1100 |
| 電気故障分野（MV/cm） | 11.7 |
5G BAW装置のための2インチのサファイアの基質のAlNの型板の層のウエファー
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