3インチINP水晶の模造の主な半導体の基質
型式番号:2インチINPウエファー
原産地:中国
最低順序量:3PCS
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン
供給の能力:500PCS
受渡し時間:2weeks
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確認済みサプライヤー
Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 38 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
2inch INPウエファー3inch 4inch N/PのタイプINP半導体の基質ウエファーによって添加されるS+/Zn+ /Fe +
成長（変更されたVFG方法）が種から始まってencapsulantホウ素の酸化物の液体を通して単結晶を引っ張るのに使用されている。
添加物（Fe、S、SnまたはZn）はpolycrystalと共にるつぼに加えられる。高圧は部屋の中でインジウムPhosphide.heの会社の分解を防ぐために開発した十分にstoechiometric、高い純度および低い転位密度INP単結晶をもたらすためにプロセスを適用される。
VFGの技術は数に関連して熱バッフルの技術のおかげでLEC方法に改良する
熱成長の状態の模倣。tCZはbouleからのbouleへ良質の再現性の費用効果が大きい成長した技術である。
特徴:
1。水晶は成長した技術および安定した電気性能の液体密封されたまっすぐデッサンの技術（LEC）によって、育つ。
精密なオリエンテーションのためのX線の方向器械を使用して2つは、水晶オリエンテーションの偏差±0.5°だけである
3つは化学機械磨く（CMP）技術によって、ウエファー、表面の粗さ磨かれる <0>
4、「開いた箱使用可能な」の条件を達成するため
5、ユーザーの要求に従って、特別な指定プロダクト処理
適用:
IItに高い電子限界の漂流の速度、よい放射抵抗およびよい熱伝導の利点がある。製造の高周波、高速、強力なマイクロウェーブ装置および集積回路のために適した。
2inch S-C-N/SはINPウエファーを添加した
2inch S-C-N/Fe+はINPウエファーを添加した
---FAQ –
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
:zmkjは商事会社ですが、サファイアの製造業者がある
適用の広いスパンのための半導体材料のウエファーの製造者として。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
:通常それは商品が在庫にあれば5-10日である。またはそれは商品がなければ15-20日である
在庫では、それは量に従ってある。
Q:サンプルを提供するか。それまたは余分は自由にあるか。
:はい、私達は自由電荷のためのサンプルを提供できたが、貨物の費用を支払わない。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
:Payment=1000USD<>、
先立って50% T/T、郵送物の前のバランス。
別の質問があれば、plsは次として私達に連絡して自由に感じる:
3インチINP水晶の模造の主な半導体の基質
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