2Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー
型式番号:2inch*0.625mmt
原産地:中国
最低順序量:10pcs
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力:1-50pcs/month
受渡し時間:2 - 4週間
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Shanghai Shanghai China
住所：
部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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製品詳細
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Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SICのインゴット/高い純度4H-N 4inch 6inch dia
150mmの炭化ケイ素の単結晶（sic）の基質wafersS/Customziedようにカットのsicのウエファー
炭化ケイ素（SiC）の水晶について
炭化ケイ素（SiC）、別名カーボランダムは、化学式SiCのケイ素そしてカーボンを含んでいる半導体である。SiCは高温か高い電圧で作動する、またはboth.SiCはまた重要なLEDの部品の1つである半導体の電子工学装置で使用される、それはGaN装置を育てるための普及した基質であり、また強力なLEDsの熱拡散機として役立つ。
1. 記述
炭化ケイ素の物質的な特性
特性 | 4H SiCの単結晶 | 6H SiCの単結晶 |
格子変数 | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
順序の積み重ね | ABCB | ABCACB |
Mohsの硬度 | ≈9.2 | ≈9.2 |
密度 | 3.21 g/cm3 | 3.21 g/cm3 |
Therm。拡張係数 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
屈折の索引@750nm | = 2.61無しne = 2.66 | = 2.60無しne = 2.65 |
比誘電率 | c~9.66 | c~9.66 |
熱伝導性の（Nタイプ、0.02 ohm.cm） | a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K | |
熱伝導性（Semi-insulating） | a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
バンド ギャップ | 3.23 eV | 3.02 eV |
故障の電場 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
飽和漂流速度 | 2.0×105 m/s | 2.0×105 m/s |
2インチ（直径）の炭化ケイ素（SiC）の基質の指定
等級 | 生産の等級 | 研究の等級 | 模造の等級 | |
直径 | 50.8 mm±0.38 mm | |||
厚さ | 330 μm±25μmまたはcustomzied | |||
ウエファーのオリエンテーション | 軸線: <0001>軸線を離れた6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SIのための±0.5°:の4H-N/4H-SIのための1120のの方の4.0° ±0.5° | |||
Micropipe密度 | ≤5 cm-2 | ≤15 cm-2 | ≤50 cm-2 | |
抵抗 | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | ||
6H-N | 0.02~0.1 Ω·cm | |||
4/6H-SI | >1E5 Ω·cm | （90%） >1E5 Ω·cm | ||
第一次平たい箱 | {10-10} ±5.0° | |||
第一次平らな長さ | 15.9 mm±1.7 mm | |||
二次平らな長さ | 8.0 mm±1.7 mm | |||
二次平らなオリエンテーション | 上向きケイ素:90° CW。主で平らな±5.0°から | |||
端の排除 | 1つのmm | |||
TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤25μm | |||
荒さ | ポーランドRa≤1 nm | |||
CMP Ra≤0.5 nm | ||||
| どれも | どれも | 1弾の割り当てられる、≤1 mm | |
高輝度ライトによる六角形の版 | 累積area≤ 1% | 累積area≤ 1% | 累積area≤ 3% | |
| どれも | 累積area≤ 2% | 累積area≤5% | |
| 1×wafer直径の累積長さへの3つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの5つの傷 | 1×wafer直径の累積長さへの8つの傷 | |
端の破片 | どれも | 3弾の割り当てられる、≤0.5 mmそれぞれ | 5弾の割り当てられる、≤1 mmそれぞれ | |
カタログ 共通のサイズ
4H-Nタイプ/高い純度SiCのウエファー/インゴット 2インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット 3インチ4H NタイプSiCのウエファー 4インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット 6インチ4H NタイプSiCのウエファー/インゴット | 2インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 3インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 4インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー 6インチ4H Semi-insulating SiCのウエファー |
6H NタイプSiCのウエファー 2インチ6H NタイプSiCのウエファー/インゴット | 2-6inchのためのCustomziedのサイズ |
ZMKJ Companyについて
ZMKJは電子および光電子工学の企業に提供する良質の単結晶SiCのウエファー（炭化ケイ素）をできる。SiCのウエファーは独特な電気特性が付いている次世代の半導体材料、でありシリコンの薄片およびGaAsのウエファーと比較される優秀な熱特性はSiCのウエファー高温および高い発電装置塗布のためにより適している。SiCのウエファーは直径2-6のインチでNタイプ、窒素およびsemi-insulatingタイプ、添加される利用できる4Hおよび6H両方SiC供給する、ことができる。より多くの製品に関する情報のための私達に連絡しなさい。
私達の関係プロダクト
サファイアのwafer&レンズLiTaO3水晶SiCのウエファーLaAlO3/SrTiO3/ウエファーのルビー色の球のギャップのウエファー
FAQ:
Q:船積みおよび費用および支払言葉の方法は何であるか。
:（1）私達はDHL、Federal Express、EMS等によって100% T/Tを先立って受け入れる。
（2）あなた自身の明白な記述があれば、大きい。そうでなかったら、私達はそれらを出荷するのを助けることができる。
貨物は実際の解決に従ってある。
Q:あなたのMOQは何であるか。
:（1）目録のための、MOQは2pcsである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは10pcsである。
Q:私は私の必要性に基づいてプロダクトをカスタマイズしてもいいか。
:はい、私達は材料、指定および形のあなたの必要性に基づいてサイズをカスタマイズしてもいい。
Q:受渡し時間は何であるか。
:（1）標準的なプロダクトのために
目録のため:配達は順序を置いた5仕事日後ある。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序を置いた3週後2またはである。
（2）特別型プロダクトのための、配達は順序を置いた後4週労働日数である。
2Inch 4inchの炭化ケイ素のウエファー6H-N/4H-N装置テストのための模造SiCの水晶ウエファー
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