4つはサファイアのウエファーの生産の全盛の等級4Hのケイ素SiCのウエファーをN添加しました
型式番号:4inch P等級
原産地:中国
最低順序量:1pcs
支払の言葉:トン/ Tは、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給の能力:1-50pcs/month
受渡し時間:1-6weeks
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Shanghai Shanghai China
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部屋1-1805,No.1079 ダイアンシャンフ・ロード 清浦地区 上海市,中国 /201799
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製品詳細
会社概要
製品詳細
4H-N 試験グレード 6インチ直径 150mm シリコンカービッド シングルクリスタル (sic) 基板シック半導体基板シリコン・カービッド・クリスタル・ウェーファー/カスタマイズ・カット・シーク・ウェーファー
シリコンカービッド (SiC) クリスタルについて
シリコンカービッド (SiC) は,カーボリンダムとしても知られており,化学式SiCを持つシリコンと炭素を含む半導体である.SiC は,高温または高電圧で動作する半導体電子機器で使用されます,または両方.SiCは,重要なLEDコンポーネントの1つであり,それは成長するGaNデバイスのための人気のある基板であり,また,高電力LEDの熱分散器として機能します.
4インチ直径のシリコンカービッド (SiC) 基板仕様
グレード | ゼロMPD生産グレード (Z級) | 生産級 (Pグレード) | ダミーグレード (Dグレード) | |
直径 | 99.5-100mm | |||
厚さ | 4H-N | 350μm±25μm | ||
4H-SI | 500μm±25μm | |||
ウェファーの方向性 | 軸外:向かい方4.0° 1120 > 4H-Nでは ±0.5° 4H-SIでは ±0.5° | |||
マイクロパイプ密度 | 4H-N | ≤0.5cm-2 | ≤2cm-2 | ≤15cm-2 |
4H-SI | ≤1cm-2 | ≤5cm-2 | ≤15cm-2 | |
耐性 | 4H-N | 0.015~0.025 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | |
4H-SI | ≥1E7 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | ||
主要フラット | {10-10} ±5.0° | |||
主要平面長さ | 32.5 mm±2.0 mm | |||
二次平面長さ | 18.0mm±2.0mm | |||
二次的な平面方向性 | シリコンが上向き: プライムフラットから90°CW ±5.0° | |||
エッジ除外 | 2mm | |||
LTV/TTV/Bow/Warp | ≤4μm/≤10μm /≤25μm /≤35μm | ≤10μm/≤15μm /≤25μm /≤40μm | ||
荒さ | ポーランドのラ≤1 nm | |||
CMP Ra≤0.5 nm | ||||
高強度の光による裂け目 | ない | 累計長さ≤10mm,単一の長さ≤2mm | ||
高強度光によるヘックスプレート | 累積面積≤0.05% | 累積面積≤00.1% | ||
高強度光による多型エリア | ない | 累積面積≤3% | ||
視覚的な炭素含有 | 累積面積≤0.05% | 累積面積≤3% | ||
高強度の光による傷 | ない | 累計長さ≤1×ワッフル直径 | ||
エッジチップ | ない | 5 は許されています≤1mm | ||
高強度の光による汚染 | ない | |||
パッケージ | 複数のウエファーカセットまたは単一のウエファーコンテナ | |||
注記:
* 欠陥制限は,縁の除外領域を除くすべてのウェーファー表面に適用されます.
SiC基板の用途について
カタログ COMMON SIZE
4H-N型/高純度SiCウエファー/インゴット 2インチ4H型N型SiCウエファー/インゴット 3インチ4H型N型SiCウエファー 4インチ4H型N型SiCウエファー/インゴット 6インチ4H型N型SiCウエファー/インゴット |
4H 半断熱/高純度SiCウエーファー 2インチ4H 半絶縁型シシクワフラー 3インチ4H 半絶縁型SiCウエファー 4インチ4H 半絶縁型SiCウエファー 6インチ4H 半絶縁型シリコン・ウェーバー |
6H N型 SiCウエーファー 2インチ 6H N型 SiCウエファー/インゴット | 2-6インチのカスタムサイズ |
営業と顧客サービス
材料 の 購入
材料の購入部門は,あなたの製品を生産するために必要なすべての原材料を集める責任があります. すべての製品と材料の完全な追跡,化学的・物理的分析を含む.
品質
製品製造や加工の過程と後に 品質管理部門は すべての材料と許容量が 仕様を満たすか 超えているか 確認します
サービス
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キーワード: シック・ウェーバー シリコン・カービッド・ウェーバー プレミアム・グレード ダミー・グレード
4つはサファイアのウエファーの生産の全盛の等級4Hのケイ素SiCのウエファーをN添加しました
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