3.13W 40A IGBTのダイオードのスイッチング・トランジスタAP4434AGYT-HF PMPAK
型式番号:AP4434AGYT-HF
原産地:シンセン、中国
最低順序量:交渉
支払の言葉:ウェスタン・ユニオン、L/C、T/T
供給の能力:10,000PCS/Month
受渡し時間:1 - 2週
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正会員
Shenzhen Guangdong China
住所：
部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 14 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
AP4434AGYT-HF PMPAK （YTの元のMOSFET/IGBT/Diodeは切換え/トランジスターIC欠ける
記述
AP4434Aシリーズは高度力から革新した設計およびケイ素の加工技術最も低く可能なオン抵抗および速い転換の性能を実現するある。それは力の適用の広い範囲の使用に極度で有効な装置をデザイナーに与える。
PMPAK® 3x3のパッケージは裏側脱熱器との標準的な赤外線退潮の技術を使用して電圧転換の適用のために特別よい熱性能を実現するためにである。
絶対最高評価
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDS | 下水管源の電圧 | 20 | V |
| VGS | ゲート源の電圧 | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | 連続的な下水管の流れ3、VGS @ 4.5V | 10.8 | |
| ID@TA =70℃ | 連続的な下水管の流れ3、VGS @ 4.5V | 8.6 | |
| IDM | 脈打った下水管の流れ1 | 40 | |
| PD@TA =25℃ | 全体の電力損失3 | 3.13 | W |
| TSTG | 保管温度の範囲 | -55から150 | ℃ |
| TJ | 作動の接合部温度の範囲 | -55から150 | ℃ |
hermalデータ
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| Rthj-c | 最高の熱抵抗、接続点場合 | 4 | ℃/W |
| Rthj-a | 最高の熱抵抗、接続点包囲された3 | 40 | ℃/W |
AP4434AGYT-H
電気Characteristics@Tj =25oC （他に特に規定がなければ）
| 記号 | 変数 | テスト条件 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
| BVDSS | 下水管源の絶縁破壊電圧 | VGS =0V、ID =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS （） | 静的な下水管源のオン抵抗2 | VGS =4.5V、ID =7A | - | - | 18 | mΩ |
| VGS =2.5V、ID =4A | - | - | 25 | mΩ | ||
| VGS =1.8V、ID =1A | - | - | 34 | mΩ | ||
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | VDS =VGS、ID =250UA | 0.25 | - | 1 | V |
| gfs | 前方相互コンダクタンス | VDS =10V、ID =7A | - | 29 | - | S |
| IDSS | 下水管源の漏出流れ | VDS =16V、VGS =0V | - | - | 10 | uA |
| IGSS | ゲート源の漏出 | VGS =+8V、VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | 総ゲート充満 | ID =7A VDS =10V VGS =4.5V | - | 12.5 | 20 | NC |
| Qgs | ゲート源充満 | - | 1.5 | - | NC | |
| Qgd | ゲート下水管（「ミラー」）充満 | - | 4.5 | - | NC | |
| td （） | Turn-on遅れ時間 | VDS =10V ID =1A RG =3.3Ω VGS =5V | - | 10 | - | ns |
| tr | 上昇時間 | - | 10 | - | ns | |
| td （） | Turn-off遅れ時間 | - | 24 | - | ns | |
| tf | 落下時間 | - | 8 | - | ns | |
| Ciss | 入れられたキャパシタンス | VG.S =0V VDS =10V f=1.0MHz | - | 800 | 1280 | pF |
| Coss | 出力キャパシタンス | - | 165 | - | pF | |
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | - | 145 | - | pF | |
| Rg | ゲートの抵抗 | f=1.0MHz | - | 1.5 | 3 | Ω |
源下水管のダイオード
| 記号 | 変数 | テスト条件 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
| VSD | 電圧2で進めなさい | =2.6A、VGS =0Vはある | - | - | 1.2 | V |
| trr | 逆の回復時間 | =7A、VGS =0Vはある、 dI/dt=100A/µs | - | 20 | - | ns |
| Qrr | 逆の回復充満 | - | 10 | - | NC |
注:
最高によって限られる1.Pulse幅。接合部温度。
2.Pulseテスト
3.SurfaceはFR4板の2 2oz銅のパッドに1に、t 10sec<>取付けた;最少銅のパッドに取付けられた場合210oC/W。
3.13W 40A IGBTのダイオードのスイッチング・トランジスタAP4434AGYT-HF PMPAK
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