A92高い流れNPNのトランジスター、高い発電NPNのケイ素のトランジスター

原産地:深セン中国
最低順序量:1000-2000 PC
包装の細部:囲まれる
受渡し時間:1 - 2 週
支払の言葉:L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力:1日あたりの18,000,000PCS/
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋2013年のDingChengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、広東省
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 14 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA92トランジスター(NPN)を

 

 

特徴
 

低いコレクター エミッターの飽和電圧

高い絶縁破壊電圧

 

印が付いていること:A92

 

 

 

最高の評価(通知がなければTa=25℃)

記号変数価値単位
VCBOコレクター基盤の電圧-310V
VCEOコレクター エミッターの電圧-305V
VEBOエミッター基盤の電圧-5V
IC連続的なコレクター流れ-200mA
ICM脈打つコレクター流れ--500mA
PCコレクターの電力損失500MW
RθJA接続点からの包囲されたへの熱抵抗250℃/W
Tj接合部温度150
Tstg保管温度-55~+150

 
 
 
電気特徴(Ta=25℃他に特に規定がなければ)

変数記号テスト条件Typ最高単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) CBOIC=-100ΜA、すなわち=0-310  V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧V (BR) CEOIC=-1mA、IB=0-305  V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧V (BR) EBOすなわち=-100ΜA、IC=0-5  V

 

コレクタ遮断電流

ICBOVCB=-200V、すなわち=0  -0.25µA
 

 

ICEO

VCE=-200V、IB=0  -0.25µA
  VCE=-300V、IB=0  -5µA
エミッターの締切りの流れIEBOVEB=-5V、IC=0  -0.1µA

 

DCの現在の利益

hFE (1)VCE=-10V、IC=-1mA60   
 hFE (2)VCE=-10V、IC=-10mA100 300 
 hFE (3)VCE=-10V、IC=-80mA60   
コレクター エミッターの飽和電圧VCE (坐る)IC=-20mA、IB=-2mA  -0.2V
基盤エミッターの飽和電圧VBE (坐る)IC=-20mA、IB=-2mA  -0.9V
転移の頻度fTVCE=-20V、IC=-10mA、f=30MHz50  MHz

 
 
 

典型的な特徴

 

 

 

 

 


 

 
 

 

 パッケージの輪郭次元
 

記号ミリメートルの次元インチの次元
 最高最高
A1.4001.6000.0550.063
b0.3200.5200.0130.020
b10.4000.5800.0160.023
c0.3500.4400.0140.017
D4.4004.6000.1730.181
D11.550参考。0.061参考。
E2.3002.6000.0910.102
E13.9404.2500.1550.167
e1.500 TYP。0.060 TYP。
e13.000 TYP。0.118 TYP。
L0.9001.2000.0350.047

 
 
 SOT-89-3Lによって提案されるパッドのレイアウト

 


 
SOT-89-3Lのテープおよび巻き枠



 
 
 

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A92高い流れNPNのトランジスター、高い発電NPNのケイ素のトランジスター

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