4° 軸外 SiC 基板 2 インチ 高温 適用 エピタキシアル ウェーファー

4° 軸外 SiC 基板 2 インチ 高温 適用 エピタキシアル ウェーファー

製品説明:

表面粗さもRa<0.5nmで,高度な精度を要求するアプリケーションには不可欠です.この基板は,さまざまな産業で使用するのに適しています.電子機器を含む耐久性が高いため,高レベルのストレスに耐えられる.

SiC基板は3.21 G/cm3の密度があり,軽量材料を必要とするアプリケーションに理想的です.基板はカスタム形やサイズで利用できます.基板はカスタマイズされた形状のシークプレートでも利用できます.異なる用途に適している.

SiC材料により より速く 小さく 軽く より強力な電子システムが可能になります産業内での迅速な拡張と採用を容易にするために必要な材料を顧客に提供することにコミットしています.
私たちの材料は 再生可能エネルギー 基地局と通信 牽引 産業用モーター制御 自動車用アプリケーション 航空宇宙・防衛を支える機器を可能にします

特徴:

応用:

SiC基板材料は,熱膨張係数4.5 X 10-6/Kを有し,高性能基板型である.表面平坦度は λ/10@632.8nm,表面硬度は HV0.3>2500である.材料はSiCモノクリスタル耐久性と強さで知られる高品質の材料です

これらのシリコンカービッドウエファーは,電子機器,LED照明,電力電子機器を含む様々なアプリケーションに理想的です. 基板は,シックレーザー切削にも使用できます.材料の精密切削のための切削ツールとして使用される場合基板は特定の形やサイズに合わせてカスタマイズされ,さまざまな産業のための汎用的な製品になります.

パーソナライズされた形状のシークプレートが必要な場合は,ZMSH SIC010は完璧なソリューションです.高品質の材料と精密な切断能力により,基板はお客様のニーズに合わせて調整できます.小さな量でも大きい量でも競争力のある価格で必要な製品を提供することができます.

カスタマイズ:

ZMSH SIC 基板製品カスタマイズサービス:

• ブランド名: ZMSH
• モデル番号:SIC010
• 原産地:中国
• 認証:Rohs
• 最低注文量: 10pc
• 価格: 各ケース
• 配達時間: 2-4週間
• 支払い条件:T/T
• 供給能力: 1000pc/月
• 表面:Si面CMP;C面Mp
• 2インチ,3インチ
• 密度: 3.21 G/cm3

サイズに合わせたSiCウェーバーとSiCレーザー切断サービスを提供しています.私たちのシリコンカービッドウェーバーは高品質で,業界の基準を満たしています.

科学の普及:

Silicon carbide (SiC) is touted as the next generation of wideband gap semiconductor materials that will serve as a key element in the substrate of metal-oxide-semiconductor devices used in electric vehiclesエネルギー貯蔵と再生可能エネルギー関連産業 [1]4H-SiCの導入には長年にわたり,帯域の大きな開口 (~ 3.26 eV) と飽和漂移速度 (2.7 × 107 cm/s) の主要な特性により,特別な注意を払われてきました.臨界電場 (~ 3 MV/cm)熱伝導性 (~4.9Wcm-1K-1),効果が十分高い.高エネルギー効率,高熱分散効率,高スイッチ周波数,高温で動作できる機器の開発を容易にする.このSiCベースのMOS装置が高圧および高電力条件で動作するためには,高品質の消化層が不可欠です.シリコン二酸化物 (SiO2) がシリコン二酸化物 (SiC) ベースのMOS装置に被動層として継承されているため [4].実際,SiC基板に熱で育ったSiO2消化層Aを6MV/cmで使用すると,Si基板よりも約10〜12A/cm2低い流出電流密度が得られる.SiO2/SiC構造が有望なMOS特性を示すが,SiO2介電常数 (k = 3.90) SiO2 消化層が SiC 基板が対応する MOS 特性に深刻な影響を与える前に早急に崩壊させる.