FDS6975力Mosfetモジュール二重P -チャネル、PowerTrenchTM MOSFET

FDS6975はPチャネル、論理のレベル、PowerTrench^TM MOSFET二倍になります

概説

これらはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な切換えの性能のための低いゲート充満を維持するために作り出されます進められたPowerTrenchプロセスを使用してPチャネルの論理のレベルのMOSFETs。

これらの装置はノート パソコンの塗布のためにうってつけです:切換えに荷を積み、管理、バッテリーの充電回路およびDC/DCの転換に動力を与えて下さい。

特徴

• -6 A、-30 V.R_DS（） = 0.032 W @ V_GS = -10ボルト、

                     R_DS（） = 0.045 W @ V_GS = -4.5 V。

•低いゲート充満（典型的な14.5nC）。

•極端に低いR_DSのための高性能の堀の技術_（）。

•高い発電および現在の処理の機能。

通知がなければ絶対最高評価T_A = 25℃

熱特徴

注:

1. _θJA Rは場合の熱参照がので下水管ピンのはんだの土台表面定義される接続点に場合および場合に包囲された熱抵抗の合計です。_θJC RはRの_θCAがユーザーの板設計によって定められる間、保証された意図的です。

2. 脈拍テスト:脈拍幅の≤ 300µsの使用率の≤ 2.0%。

標準的な提供（熱い販売法）

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