NDS9952A力Mosfetのトランジスター二重N及びPチャネルの電界効果トランジスタ

NDS9952A

二重N及びPチャネルの強化モード電界効果トランジスタ

概説

これらの二重N-およびPチャネルの強化モード力の電界効果トランジスタは、高い細胞密度専有、フェアチャイルドDMOSの技術を使用して作り出されます。この非常に高密度プロセスは特にオン州の抵抗を最小にし、優秀な切換えの性能を提供し、なだれおよび代わりモードの高エネルギーの脈拍に抗するために合います。これらの装置はノート パソコン力管理およびトランジェントへの速い切換え、低いインライン電源切れおよび抵抗が必要である他の電池式回路のような低電圧の適用に特に適します。

特徴

• Nチャネル3.7A、30V、R_DS（） =0.08W @ V_GS =10V。
• Pチャネル-2.9A、-30V、R_DS（） =0.13W @ V_GS =-10V。
• 高密度細胞の設計か極端に低いR_DS（）。
• 広く利用された表面の台紙のパッケージの高い発電そして現在の処理の機能。
• （N及びPチャネル）表面の台紙のパッケージのMOSFETは二倍になります。

通知がなければ絶対最高評価T_A = 25°C

注:1._θJA Rは場合の熱参照がので下水管ピンのはんだの土台表面定義される接続点に場合および場合に包囲された熱抵抗の合計です。_θJC RはRの_θCAがユーザーの板設計によって定められる間、保証された意図的です。

静かな空気環境で4.5"でx5」FR-4 PCB次示されている板レイアウトを使用して単一装置操作のための_θJA典型的なRの:

a. 2oz cpperの²パッドに0.5に取付けられた場合78℃/W。

b. 2oz cpperの²パッドに0.02に取付けられた場合125℃/W。

c. 2oz cpperの²パッドに0.003に取付けられた場合135℃/W。

スケール1:手紙サイズ ペーパーの1

標準的な提供（熱い販売法）

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