MLP1N06CLG力Mosfetのトランジスター電圧は現在の制限MOSFETの高い発電mosfetのトランジスターrf力のmosfeを締め金で止めました

内部的には締め金で止められた、現在の限られたNチャネルの論理のレベル力MOSFET

  これらのSMARTDISCRETES装置は短絡の保護のための現在の制限、ESDの保護のための必要なゲートに源クランプおよび過電圧の保護のためのゲートに下水管クランプを特色にします。MCUの出力、40のkΩのゲートのpulldownの抵抗器への付加的なゲート シリーズ抵抗は浮遊ゲートの状態を避けるためにインターフェイスが推薦されるがとき要求されません。

   内部ゲートに源およびゲートに下水管クランプは装置が外的で一時的な抑制の部品の使用なしで加えられるようにします。源クランプ ゲートに入る静電気のゲートの電圧圧力からMOSFETを2.0までkV保護します。ゲートに下水管クランプはMOSFETを圧力から抜けます誘導負荷と起こる下水管のなだれの保護します。この独特な設計は本質的に実用温度の独立者である電圧締め金で止めることを提供します。

•温度によって償われるゲートに下水管クランプは装置に適用される電圧圧力を限り、過電圧から負荷を保護します

•統合されたESDのダイオードの保護

•管理された切換えはRFIを最小にします

•低い境界の電圧はマイクロプロセッサにインターフェイス力の負荷を可能にします

最高の評価

物品目録

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