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Anterwell Technology Ltd.
シティ：shenzhen
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MLP1N06CLG力Mosfetのトランジスター電圧は現在の制限MOSFETの高い発電mosfetのトランジスターrf力のmosfeを締め金で止めました
MLP1N06CLG力Mosfetのトランジスター電圧は現在の制限MOSFETの高い発電mosfetのトランジスターrf力のmosfeを締め金で止めました
  • MLP1N06CLG力Mosfetのトランジスター電圧は現在の制限MOSFETの高い発電mosfetのトランジスターrf力のmosfeを締め金で止めました
製品の詳細
内部的には締め金で止められた、現在の限られたNチャネルの論理のレベル力MOSFET これらのSMARTDISCRETES装置は短絡の保護のための現在の制限、ESDの保護のための必要なゲートに源クランプおよび過電圧の保護のためのゲートに下水管クランプを特色にします。MCUの出力、40のkΩのゲート...
製品詳細図 →
商品のタグ：
hexfet力mosfet n チャンネル パワー モスフェット 論理レベル パワーモスフェット

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