Infineon IGBT力モジュールFF50R12RT4 34mm 1200VはIGBT速い堀/Fieldstopの二倍になります
型式番号:FF50R12RT4
原産地:中国
最低順序量:1 セット
支払の言葉:T/T
供給の能力:1000sets
受渡し時間:契約に署名した後 25 日
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確認済みサプライヤー
Shenzhen Guangdong China
住所：
27 P、ブロック B Duhui 100、Zhonghang 道路、福田地区、深セン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 9 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
Infineon FF50R12RT4有名なmm 34 1200Vはモジュール制御される速い堀/fieldstop IGBT4およびエミッターが付いているIGBT二倍になります
典型的な適用
•高い発電のコンバーター
•モーター ドライブ
•UPSシステム
電気特徴
•操作延長操作の温度Tvj
•低い切換えの損失
•低いVCEsat
•操作Tvj = 150°C
•肯定的な温度係数のVCEsat
機械特徴
•隔離された支承板
•標準的なハウジング
IGBTのインバーター
最高の評価される価値
| コレクター エミッターの電圧 | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| 連続的なDCのコレクター流れ | TC = 100°C、最高Tvj = 175°C | ICのnom | 50 | A |
| 反復的なピーク コレクター流れ | TP = 1人の氏 | ICRM | 100 | A |
| 全体の電力損失 | TC = 25°C、最高Tvj = 175°C | Ptot | 285 | W |
| ゲート エミッターのピーク電圧 | VGES | +/-20 | V |
独特価値
| コレクター エミッターの飽和電圧 | IC = 50 A、VGE = 15ボルトTvj = 25°C IC = 50 A、VGE = 15ボルトTvj = 125°C IC = 50 A、VGE = 15ボルトTvj = 150°C | 坐るVCE | 1,85 2,15 2,25 | 2,15 | V VV | |
| ゲートの境界の電圧 | IC = 1,60 mA、VCE = VGE、Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| ゲート充満 | VGE = -15ボルト… +15ボルト | QG | 0,38 | µC | ||
| 内部ゲートの抵抗器 | Tvj = 25°C | RGint | 4,0 | Ω | ||
| 入力キャパシタンス | f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルト | Cies | 2,80 | nF | ||
| 逆の移動キャパシタンス | f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルト | ツレス島 | 0,10 | nF | ||
| コレクター エミッターの締切りの流れ | VCE = 1200ボルト、VGE = 0ボルト、Tvj = 25°C | 凍ります | 1.0 | mA | ||
| ゲート エミッターの漏出流れ | VCE = 0ボルト、VGE = 20ボルト、Tvj = 25°C | IGES | 100 | nA | ||
| 遅れ時間回転、誘導負荷 | IC = 50 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | td | 0,13 0,15 0,15 | µs µs µs | ||
| 上昇時間、誘導負荷 | IC = 50 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | tr | 0,02 0,03 0,035 | µs µs µs | ||
| 回転遅れ時間、誘導負荷 | IC = 50 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | td | 0,30 0,38 0,40 | µs µs µs | ||
| 落下時間、誘導負荷 | IC = 50 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | tf | 0,045 0,08 0,09 | µs µs µs | ||
| 脈拍ごとのエネルギー損失回転 | IC = 50 A、VCE = 600ボルト、LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V、di/dt = 1300 A/µs （Tvj = 150°C） Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C | 永劫 | 4,50 6,50 7,50 | 19,0 30,0 36,0 | ||
| 脈拍ごとの回転エネルギー損失 | IC = 50 A、VCE = 600ボルト、LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V、du/dt = 3800 V/µs （Tvj = 150°C） Tvj = 125°C RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C | Eoff | 2,50 4,00 4,50 | mJ mJ mJ | ||
| SCデータ | VGEの≤ 15 V、VCCの= 800ボルト VCEmax = VCES - LsCE·di/dt TPの≤ 10のµs、Tvj = 150°C | ISC | 180 | mJ mJ mJ | ||
| 熱抵抗、場合への接続点 | IGBTごとのIGBT/ | RthJC | 0,53 | K/W | ||
| 熱抵抗、caseto脱熱器 | IGBTごとの各IGBT/ λPaste = 1との（m·K）/λgrease = 1との（m·K） | RthCH | 0,082 | K/W | ||
| 切換えの条件の下の温度 | 操作Tvj | -40 | 150 | °C |
Infineon IGBT力モジュールFF50R12RT4 34mm 1200VはIGBT速い堀/Fieldstopの二倍になります
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