1200Vインバーター二重IGBT半分橋モジュールFF200R12KT4の電力ドライブ62mmのCシリーズ
型式番号:FF200R12KT4
原産地:中国
最低順序量:1 セット
支払の言葉:T/T
供給の能力:1000sets
受渡し時間:契約に署名した後 25 日
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確認済みサプライヤー
Shenzhen Guangdong China
住所：
27 P、ブロック B Duhui 100、Zhonghang 道路、福田地区、深セン、中国
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内 9 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
半橋62mm Cシリーズ1200ボルトのインバーター二重IGBTモジュールFF200R12KT4の電力ドライブ モジュール
最高の評価される価値
| コレクター エミッターの電圧 | Tvj = 25°C | VCES | 1200 | V |
| 連続的なDCのコレクター流れ | TC = 100°C、最高Tvj = 175°C TC = 25°C、最高Tvj = 175°C | ICのnom IC | 200 320 | A A |
| 反復的なピーク コレクター流れ | TP = 1人の氏 | ICRM | 400 | A |
| 全体の電力損失 | TC = 25°C、 最高Tvj = 175°C | Ptot | 1100 | W |
| ゲート エミッターのピーク電圧 | VGES | +/-20 | V |
独特価値
| コレクター エミッターの飽和電圧 | IC = 200 A、VGE = 15ボルトTvj = 25°C IC = 200 A、VGE = 15ボルトTvj = 125°C | 坐るVCE | 1,75 2,05 2,10 | 2,15 | V VV | |
| ゲートの境界の電圧 | IC = 7,60 mA、VCE = VGE、Tvj = 25°C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
| ゲート充満 | VGE = -15ボルト… +15ボルト | QG | 1,80 | µC | ||
| 内部ゲートの抵抗器 | Tvj = 25°C | RGint | 3,8 | Ω | ||
| 入力キャパシタンス | f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルト | Cies | 14,0 | nF | ||
| 逆の移動キャパシタンス | f = 1つのMHz、Tvj = 25°C、VCE = 25ボルト、VGE = 0ボルト | ツレス島 | 0,50 | nF | ||
| コレクター エミッターの締切りの流れ | VCE = 1200ボルト、VGE = 0ボルト、Tvj = 25°C | 凍ります | 5,0 | mA | ||
| ゲート エミッターの漏出流れ | VCE = 0ボルト、VGE = 20ボルト、Tvj = 25°C | IGES | 400 | nA | ||
| 遅れ時間回転、誘導負荷 | IC = 200 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | td | 0,16 0,17 0,18 | µs µs µs | ||
| 上昇時間、誘導負荷 | IC = 200 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | tr | 0,045 0,04 0,50 | µs µs µs | ||
| 回転遅れ時間、誘導負荷 | IC = 200 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | td | 0,45 0,52 0,54 | µs µs µs | ||
| 落下時間、誘導負荷 | IC = 200 A、VCE = 600ボルトTvj = 25°C VGE = ±15 V Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | tf | 0,10 0,16 0,16 | µs µs µs | ||
| 脈拍ごとのエネルギー損失回転 | IC = 200 A、VCE = 600ボルト、LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V、di/dt = 4000 A/µs （Tvj = 150°C） Tvj = 125°C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C | 永劫 | 10,0 15,0 17,0 | 19,0 30,0 36,0 | ||
| 脈拍ごとの回転エネルギー損失 | IC = 200 A、VCE = 600ボルト、LS = 30 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V、du/dt = 4500 V/µs （Tvj = 150°C） Tvj = 125°C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C | Eoff | 14,0 20,0 23,0 | mJ mJ mJ | ||
| SCデータ | VGEの≤ 15 V、VCCの= 900ボルト VCEmax = VCES - LsCE·di/dt TPの≤ 10のµs、Tvj = 150°C | ISC | 800 | mJ mJ mJ | ||
| 熱抵抗、場合への接続点 | IGBTごとのIGBT/ | RthJC | 0,135 | K/W | ||
| 熱抵抗、caseto脱熱器 | IGBTごとの各IGBT/ λPaste = 1との（m·K）/λgrease = 1との（m·K） | RthCH | 0,034 | K/W | ||
| 切換えの条件の下の温度 | 操作Tvj | -40 | 150 | °C |
1200Vインバーター二重IGBT半分橋モジュールFF200R12KT4の電力ドライブ62mmのCシリーズ
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