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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
シティ：shenzhen
省/州：guangdong
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50N06P/T 60V Mosの電界効果トランジスタのケイ素の物質的な接合部温度150℃
50N06P/T 60V Mosの電界効果トランジスタのケイ素の物質的な接合部温度150℃
  • 50N06P/T 60V Mosの電界効果トランジスタのケイ素の物質的な接合部温度150℃
製品の詳細
50N06P/T 200V Nチャネルの強化モードMOSFET プロダクト概要 18N20Xは優秀なRDS （）、2.5V低いゲートの電圧の低いゲート充満および操作を提供するのに高度の平らな技術を使用します。この装置は電池の保護としてまたは他の切換えの適用で使用のために適しています。 ...
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メタルオキシドワリスターの仕様 シック・モスフェット・レーティング メタルオキシドワリスターのサイズ

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