シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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B772高い発電PNPのトランジスター スイッチ、先端PNPのトランジスター回路

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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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B772高い発電PNPのトランジスター スイッチ、先端PNPのトランジスター回路

最新の価格を尋ねる
原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :B772
コレクターの電力損失 :1.25W
VCEO :-30V
VEBO :-6V
製品名 :半導体の三極管のタイプ
して、TJ :150 ℃
タイプ :三極管のトランジスター
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製品の説明を表示

TO-126はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターB772トランジスター(PNP)を

 

 

特徴
 


低速切換え

 

 

印が付いていること

B772=Deviceコード

固体混合装置を、どれも形成する、点=緑正常な装置XX=Code

 

B772高い発電PNPのトランジスター スイッチ、先端PNPのトランジスター回路

 

 

発注情報

部品番号 パッケージ パッキング方法 パックの量
B772 TO-126 大きさ 200pcs/Bag
B772-TU TO-126 60pcs/Tube


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

 

記号 変数 価値 単位
VCBO コレクター基盤の電圧 -40 V
VCEO コレクター エミッターの電圧 -30 V
VEBO エミッター基盤の電圧 -6 V
IC 連続的なコレクター流れ- -3 A
PC コレクターの電力損失 1.25 W
RӨJA 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 100 ℃/W
Tj 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55-150

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

変数 記号 テスト条件 Typ 最高 単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) CBO IC=-100μA、すなわち=0 -40     V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 V (BR) CEO IC= -10MA、IB=0 -30     V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO すなわち= -100ΜA、IC=0 -6     V
コレクタ遮断電流 ICBO VCB= -40V、すなわち=0     -1 μA
コレクタ遮断電流 ICEO VCE=-30V、IB=0     -10 μA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB=-6V、IC=0     -1 μA
DCの現在の利益 hFE VCE= -2V、IC= -1A 60   400  
コレクター エミッターの飽和電圧 VCE (坐る) IC=-2A、IB= -0.2A     -0.5 V
基盤エミッターの飽和電圧 VBE (坐る) IC=-2A、IB= -0.2A     -1.5 V

 

転移の頻度

fT

VCE= -5V、IC=-0.1A

f =10MHz

 

50

 

80

 

 

MHz

 
  

hFE(2)の分類

ランク R O Y GR
範囲 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


典型的な特徴

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 パッケージの輪郭次元
 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  最高 最高
A 3.300 3.700 0.130 0.146
A1 1.100 1.400 0.043 0.055
b 0.380 0.550 0.015 0.022
c 0.360 0.510 0.014 0.020
D 4.300 4.700 0.169 0.185
D1 3.430   0.135  
E 4.300 4.700 0.169 0.185
e 1.270 TYP 0.050 TYP
e1 2.440 2.640 0.096 0.104
L 14.100 14.500 0.555 0.571
0   1.600   0.063
h 0.000 0.380 0.000 0.015

 

 

B772高い発電PNPのトランジスター スイッチ、先端PNPのトランジスター回路

 

 

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