シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
正会員
6 年
ホーム / 製品 / Tip Power Transistors /

D882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30v

企業との接触
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrDavid Lee
企業との接触

D882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30v

最新の価格を尋ねる
原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :D882
コレクター基盤のVoltageCollector基盤の電圧 :40V
コレクター エミッターの電圧 :30V
エミッター基盤の電圧 :6v
力 Mosfet のトランジスター :TO-126はプラスチック内部に閉じ込めます
材質 :シリコン
タイプ :三極管のトランジスター
more
企業との接触

Add to Cart

類似の動画を探す
製品の説明を表示

TO-126はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターD882トランジスター(NPN)を

 

 

特徴
 


電力損失

 

 

 

印が付いていること

 

D882=Deviceコード

固体混合装置を、どれも形成する、点=緑正常な装置XX=Code

D882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30v

 

 

 

 

発注情報

部品番号 パッケージ パッキング方法 パックの量
D882 TO-126 大きさ 200pcs/Bag
D882-TU TO-126 60pcs/Tube

 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)
 

 

記号 変数 価値 単位
VCBO コレクター基盤の電圧 40 V
VCEO コレクター エミッターの電圧 30 V
VEBO エミッター基盤の電圧 6 V
IC 連続的なコレクター流れ- 3 A
PC コレクターの電力損失 1.25 W
TJ 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55-150

 
 
 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ

変数 記号 テスト条件 Typ 最高 単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) CBO IC = 100μA、すなわち=0 40     V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 V (BR) CEO IC = 10mA、IB=0 30     V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO すなわち= 100μA、IC=0 6     V
コレクタ遮断電流 ICBO VCB= 40 V、すなわち=0     1 µA
コレクタ遮断電流 ICEO VCE= 30 V、IB=0     10 µA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB= 6 V、IC=0     1 µA
DCの現在の利益 hFE VCE= 2 V、IC= 1A 60   400  
コレクター エミッターの飽和電圧 VCE (坐る) IC= 2A、IB= 0.2 A     0.5 V
基盤エミッターの飽和電圧 VBE (坐る) IC= 2A、IB= 0.2 A     1.5 V

 

転移の頻度

 

fT

VCE= 5V、IC=0.1A

f =10MHz

 

 

90

 

 

MHz

 
  

hFE(2)の分類

ランク R O Y GR
範囲 60-120 100-200 160-320 200-400

 

 

 


典型的な特徴

 

 
 D882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30vD882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30vD882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30vD882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30v
 

 パッケージの輪郭次元
 

 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
最高 最高
A 2.500 2.900 0.098 0.114
A1 1.100 1.500 0.043 0.059
b 0.660 0.860 0.026 0.034
b1 1.170 1.370 0.046 0.054
c 0.450 0.600 0.018 0.024
D 7.400 7.800 0.291 0.307
E 10.600 11.000 0.417 0.433
e 2.290 TYP 0.090 TYP
e1 4.480 4.680 0.176 0.184
h 0.000 0.300 0.000 0.012
L 15.300 15.700 0.602 0.618
L1 2.100 2.300 0.083 0.091
P 3.900 4.100 0.154 0.161
Φ 3.000 3.200 0.118 0.126

 
 
D882 NPNのトランジスター回路、NPN力トランジスター コレクターのエミッターの電圧30v
 
 

お問い合わせカート 0