シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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A733 PNPの先端力トランジスターTO-92プラスチック-トランジスターを内部に閉じ込めて下さい

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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrDavid Lee
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A733 PNPの先端力トランジスターTO-92プラスチック-トランジスターを内部に閉じ込めて下さい

最新の価格を尋ねる
原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :A733
VCBO :-60V
VCEO :-50V
VEBO :-5V
製品名 :ケイ素の半導体の三極管のタイプ
して、TJ :150Š
タイプ :三極管のトランジスター
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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターA733トランジスター(PNP)を

 

 

特徴
 

電力損失

 

 

印が付いていること

  • A733=Deviceコード
  • 固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green
  • hFEのZ=Rank
  • XXX=Code

 

A733 PNPの先端力トランジスターTO-92プラスチック-トランジスターを内部に閉じ込めて下さい

 

 

発注情報

部品番号 パッケージ パッキング方法 パックの量
A733 TO-92 大きさ 1000pcs/Bag
A733-TA TO-92 テープ 2000pcs/Box


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

 

記号 変数 価値 単位
VCBO コレクター基盤の電圧 -60 V
VCEO コレクター エミッターの電圧 -50 V
VEBO エミッター基盤の電圧 -5 V
I C 連続的なコレクター流れ- -100 mA
PC コレクターの電力損失 250 MW
TJ 接合部温度 150
Tstg 接続点および保管温度 -55~+150

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

変数 記号 テスト条件 Typ 最高 単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) CBO IC= -50UA、すなわち=0 -60     V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 V (BR) CEO IC= -1MA、IB=0 -50     V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO すなわち= -50UA、IC=0 -5     V
コレクタ遮断電流 ICBO VCB= -60V、すなわち=0     -0.1 uA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB= -5 V、IC=0     -0.1 uA
DCの現在の利益 hFE VCE= -6V、IC= -1MA 90 200 600  
コレクター エミッターの飽和電圧 Vセリウム(坐る) IC= -100mA、I B=- 10mA   -0.18 -0.3 V
基盤エミッターの電圧 VBE VCE=-6V、IC=-1.0mA -0.58 -0.62 -0.68 V
転移の頻度 fT VCE=-6V、IC=-10mA 100     MHz
コレクターの出力キャパシタンス 穂軸 VCB=-10V、すなわち=0、f=1MHZ     6 pF

 

雑音指数

 

NF

VCE=-6V、IC=-0.3mA

Rg=10kΩ、f=100HZ

   

 

20

 

dB

 
  

hFE(2)の分類

ランク R Q P K
範囲 90-180 135-270 200-400 300-600

 

 

 

 パッケージの輪郭次元
 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  最高 最高
A 3.300 3.700 0.130 0.146
A1 1.100 1.400 0.043 0.055
b 0.380 0.550 0.015 0.022
c 0.360 0.510 0.014 0.020
D 4.300 4.700 0.169 0.185
D1 3.430   0.135  
E 4.300 4.700 0.169 0.185
e 1.270 TYP 0.050 TYP
e1 2.440 2.640 0.096 0.104
L 14.100 14.500 0.555 0.571
0   1.600   0.063
h 0.000 0.380 0.000 0.015

 

 

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