シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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AP1334GEU-HF 0.35W 8A Mosfet力トランジスター新しい状態

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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrDavid Lee
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AP1334GEU-HF 0.35W 8A Mosfet力トランジスター新しい状態

最新の価格を尋ねる
型式番号 :AP1334GEU-HF
原産地 :中国
最低順序量 :交渉可能
支払の言葉 :T/T、ウェスタン・ユニオン、L/C
供給の能力 :10,000/Month
受渡し時間 :4~5週
包装の細部 :カートン箱
部品番号 :AP1334GEU-HF
調達期間 :在庫あり
Rosh :はい
条件 :新着
サンプル :サポート
タイプ :同じデータ用紙
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元の在庫のための電子部品AP1334GEU-HFの利点の価格

 

記述

 

AP1334シリーズは高度力から革新した設計およびケイ素の加工技術最も低く可能なオン抵抗および速い転換の性能を実現するある。それは力の適用の広い範囲の使用に極度で有効な装置をデザイナーに与える。
 

絶対最高のRatings@Tj =25oC(他に特に規定がなければ)

 

記号 変数 評価 単位
VDS 下水管源の電圧 20 V
VGS ゲート源の電圧 +8 V
ID@TA =25℃ 流れ3、VGS @ 4.5Vを流出させなさい 2.1
ID@TA =70℃ 流れ3、VGS @ 4.5Vを流出させなさい 1.7
IDM 脈打った下水管の流れ1 8
PD@TA =25℃ 全体の電力損失 0.35 W
TSTG 保管温度の範囲 -55から150
TJ 作動の接合部温度の範囲 -55から150

 

熱データ

 

記号 変数 価値 単位
Rthj-a 最高の熱抵抗、接続点包囲された3 360 ℃/W

 

AP1334GEU-H

 

電気Characteristics@Tj =25oC (他に特に規定がなければ)

記号 変数 テスト条件 Min. タイプ。 最高。 単位
BVDSS 下水管源の絶縁破壊電圧 VGS =0V、ID =250UA 20 - - V
RDS () 静的な下水管源のオン抵抗2 VGS =4.5V、ID =2A - - 65
VGS =2.5V、ID =1.5A - - 75
VGS =1.8V、ID =1A - - 85
VGS (Th) ゲートの境界の電圧 VDS =VGS、ID =250UA 0.3 - 1 V
gfs 前方相互コンダクタンス VDS =5V、ID =2A - 12 - S
IDSS 下水管源の漏出流れ VDS =16V、VGS =0V - - 10 uA
IGSS ゲート源の漏出 VGS =+8V、VDS =0V - - +30 uA
Qg 総ゲート充満

ID =2A

VDS =10V VGS =4.5V

- 9 14.4 NC
Qgs ゲート源充満 - 1 - NC
Qgd ゲート下水管(「ミラー」)充満 - 2.5 - NC
td () Turn-on遅れ時間

VDS =10V ID =1A RG =3.3Ω

VGS =5V

- 6 - ns
tr 上昇時間 - 7 - ns
td () Turn-off遅れ時間 - 18 - ns
tf 落下時間 - 3 - ns
Ciss 入れられたキャパシタンス

VG.S =0V VDS =10V

f=1.0MHz

- 570 912 pF
Coss 出力キャパシタンス - 70 - pF
Crss 逆の移動キャパシタンス - 60 - pF
Rg ゲートの抵抗 f=1.0MHz - 2.4 4.8 Ω

 

源下水管のダイオード

 

記号 変数 テスト条件 Min. タイプ。 最高。 単位
VSD 電圧2で進めなさい =1.2A、VGS =0Vはある - - 1.2 V
trr 逆の回復時間

=2A、VGS =0Vはある、

dI/dt=100A/µs

- 14 - ns
Qrr 逆の回復充満 - 7 - NC

 

注:

 

最高によって限られる1.Pulse幅。接合部温度。
2.Pulseテスト

3.SurfaceはFR4板に、tの≦ 10の秒取付けた。
 

私達の利点:

 

私達にオンラインで、サポートBOM引用語句購入している役立つ専門のチームがあるの専門ERP順序システム、WSMの貯蔵システム、サポート

すべての項目はよい価格と良質あり。

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