シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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3.13W 40A IGBTのダイオードのスイッチング・トランジスタAP4434AGYT-HF PMPAK

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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3.13W 40A IGBTのダイオードのスイッチング・トランジスタAP4434AGYT-HF PMPAK

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型式番号 :AP4434AGYT-HF
原産地 :シンセン、中国
最低順序量 :交渉
支払の言葉 :ウェスタン・ユニオン、L/C、T/T
供給の能力 :10,000PCS/Month
受渡し時間 :1 - 2週
包装の細部 :囲まれる
タイプ :論理ICS
銘柄 :元のブランド
パッケージ :DIP/SMD
条件 :新しい100% AP4434AGYT-HF
利用できる媒体 :データ用紙
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製品の説明を表示

AP4434AGYT-HF PMPAK (YTの元のMOSFET/IGBT/Diodeは切換え/トランジスターIC欠ける

 

記述

 

AP4434Aシリーズは高度力から革新した設計およびケイ素の加工技術最も低く可能なオン抵抗および速い転換の性能を実現するある。それは力の適用の広い範囲の使用に極度で有効な装置をデザイナーに与える。

PMPAK® 3x3のパッケージは裏側脱熱器との標準的な赤外線退潮の技術を使用して電圧転換の適用のために特別よい熱性能を実現するためにである。

 

絶対最高評価

 

記号 変数 評価 単位
VDS 下水管源の電圧 20 V
VGS ゲート源の電圧 +8 V
ID@TA =25℃ 連続的な下水管の流れ3、VGS @ 4.5V 10.8
ID@TA =70℃ 連続的な下水管の流れ3、VGS @ 4.5V 8.6
IDM 脈打った下水管の流れ1 40
PD@TA =25℃ 全体の電力損失3 3.13 W
TSTG 保管温度の範囲 -55から150
TJ 作動の接合部温度の範囲 -55から150

 

hermalデータ

 

記号 変数 価値 単位
Rthj-c 最高の熱抵抗、接続点場合 4 ℃/W
Rthj-a 最高の熱抵抗、接続点包囲された3 40 ℃/W

 

AP4434AGYT-H

 

電気Characteristics@Tj =25oC (他に特に規定がなければ)

記号 変数 テスト条件 Min. タイプ。 最高。 単位
BVDSS 下水管源の絶縁破壊電圧 VGS =0V、ID =250UA 20 - - V
RDS () 静的な下水管源のオン抵抗2 VGS =4.5V、ID =7A - - 18
VGS =2.5V、ID =4A - - 25
VGS =1.8V、ID =1A - - 34
VGS (Th) ゲートの境界の電圧 VDS =VGS、ID =250UA 0.25 - 1 V
gfs 前方相互コンダクタンス VDS =10V、ID =7A - 29 - S
IDSS 下水管源の漏出流れ VDS =16V、VGS =0V - - 10 uA
IGSS ゲート源の漏出 VGS =+8V、VDS =0V - - +100 nA
Qg 総ゲート充満

ID =7A VDS =10V

VGS =4.5V

- 12.5 20 NC
Qgs ゲート源充満 - 1.5 - NC
Qgd ゲート下水管(「ミラー」)充満 - 4.5 - NC
td () Turn-on遅れ時間

VDS =10V ID =1A RG =3.3Ω

VGS =5V

- 10 - ns
tr 上昇時間 - 10 - ns
td () Turn-off遅れ時間 - 24 - ns
tf 落下時間 - 8 - ns
Ciss 入れられたキャパシタンス

VG.S =0V VDS =10V

f=1.0MHz

- 800 1280 pF
Coss 出力キャパシタンス - 165 - pF
Crss 逆の移動キャパシタンス - 145 - pF
Rg ゲートの抵抗 f=1.0MHz - 1.5 3 Ω

 

源下水管のダイオード

 

記号 変数 テスト条件 Min. タイプ。 最高。 単位
VSD 電圧2で進めなさい =2.6A、VGS =0Vはある - - 1.2 V
trr 逆の回復時間

=7A、VGS =0Vはある、

dI/dt=100A/µs

- 20 - ns
Qrr 逆の回復充満 - 10 - NC

 

注:

 

最高によって限られる1.Pulse幅。接合部温度。
2.Pulseテスト

3.SurfaceはFR4板の2 2oz銅のパッドに1に、t 10sec<>取付けた;最少銅のパッドに取付けられた場合210oC/W

 

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