最新の価格を尋ねる
正会員
7 年
Add to Cart
AP30N10Dの高い現在のトランジスター、30A 100V TO-252の電界効果トランジスタ
高い現在のトランジスター タイプ
MOSFETsは異なったタイプである場合もありま下記のものを含んでいます:
枯渇モード:普通。VGSを適用することはそれを消します。
強化モード:普通。VGSを適用することはそれをつけます。
NチャネルのMOSFETs:肯定的な電圧および流れ。
PチャネルのMOSFETs:否定的な電圧および流れ。
低電圧のMOSFETs:0ボルトからの200 V.へのBVDSS。
高圧MOSFETs:200 V.よりBVDSSのgreather。
高い現在のトランジスター特徴
VDS = 100V ID = 30A
RDS （） < 47m="">
高い現在のトランジスター使用法
電池の保護
負荷スイッチ
無停電電源装置
パッケージの印および発注情報
| プロダクトID | パック | 印が付いていること | Qty （PCS） |
| AP30N10D | TO-252-3L | AP30N10D XXX YYYY | 2500 |
通知がなければ絶対最高評価Tc=25℃
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDS | 下水管源の電圧 | 100 | V |
| VGS | ゲート源の電圧 | ±20 | V |
| ID@TC =25℃ | 連続的な下水管の流れ、V GS @ 10V 1 | 30 | A |
| ID@TC =100の℃ | 連続的な下水管の流れ、V GS @ 10V 1 | 13.5 | A |
| ID@TA =25℃ | 連続的な下水管の流れ、V GS @ 10V 1 | 4.2 | A |
| ID@TA =70℃ | 連続的な下水管の流れ、V GS @ 10V 1 | 3.4 | A |
| IDM | 脈打った下水管Current2 | 45 | A |
| EAS | 単一の脈拍のなだれエネルギー3 | 36.5 | mJ |
| IAS | なだれの流れ | 27 | A |
| PD@TC =25の℃ | 総力Dissipation4 | 52.1 | W |
| PD@TA =25の℃ | 総力Dissipation4 | 2 | W |
| TSTG | 保管温度の範囲 | -55から150 | ℃ |
| TJ | 作動の接合部温度の範囲 | -55から150 | ℃ |
| RθJA | 熱抵抗接続点包囲された1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 熱抵抗の接続点場合1 | 2.4 | ℃/W |
| 記号 | 変数 | 条件 | 最少。 | Typ。 | 最高。 | 単位 |
| BVDSS | 下水管源の絶縁破壊電圧 | VGS=0V、ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/T J | BVDSSの温度係数 | 25℃、ID=1mAへの参照 | --- | 0.098 | --- | V/℃ |
|
RDS （） |
静的な下水管源のオン抵抗 |
VGS=10V、I D=20A | --- | 38 | 47 |
mΩ |
| VGS=4.5V、I D=15A | --- | 40 | 50 | |||
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | 1.3 | --- | 2.5 | V | |
| △VGS （Th） | VGS （Th）の温度係数 | --- | -5.52 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 下水管源の漏出流れ | VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 10 | uA |
| VDS=80V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 100 | |||
| IGSS | ゲート源の漏出流れ | VGS=±20V、V DS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | 前方相互コンダクタンス | VDS=5V、ID=20A | --- | 28.7 | --- | S |
| Rg | ゲートの抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 1.6 | 3.2 | Ω |
| Qg | 総ゲート充満（10V） | --- | 60 | 84 | ||
| Qgs | ゲート源充満 | --- | 9.7 | 14 | ||
| Qgd | ゲート下水管充満 | --- | 11.8 | 16.5 | ||
| Td （） | 遅れ時間回転 | --- | 10.4 | 21 | ||
| Tr | 上昇時間 | --- | 46 | 83 | ||
| Td （） | 回転遅れ時間 | --- | 54 | 108 | ||
| Tf | 落下時間 | --- | 10 | 20 | ||
| Ciss | 入力キャパシタンス | --- | 3848 | 5387 | ||
| Coss | 出力キャパシタンス | --- | 137 | 192 | ||
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | --- | 82 | 115 | ||
| あります | 連続的なソース電流1,5 | VG=VD=0Vの力の流れ | --- | --- | 22 | A |
| 主義 | 脈打ったソース電流2,5 | --- | --- | 45 | A | |
| VSD | ダイオードはVoltage2を進めます | VGS=0V、IS=1A、TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | 逆の回復時間 | IF=20A、dI/dt=100A/µs、 | --- | 30 | --- | nS |
| Qrr | 逆の回復充満 | --- | 37 | --- | NC |
| 記号 | 変数 | 条件 | 最少。 | Typ。 | 最高。 | 単位 |
| BVDSS | 下水管源の絶縁破壊電圧 | VGS=0V、ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/T J | BVDSSの温度係数 | 25℃、ID=1mAへの参照 | --- | 0.098 | --- | V/℃ |
|
RDS （） |
静的な下水管源のオン抵抗 |
VGS=10V、I D=20A | --- | 38 | 47 |
mΩ |
| VGS=4.5V、I D=15A | --- | 40 | 50 | |||
| VGS （Th） | ゲートの境界の電圧 | 1.3 | --- | 2.5 | V | |
| △VGS （Th） | VGS （Th）の温度係数 | --- | -5.52 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | 下水管源の漏出流れ | VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 10 | uA |
| VDS=80V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 100 | |||
| IGSS | ゲート源の漏出流れ | VGS=±20V、V DS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | 前方相互コンダクタンス | VDS=5V、ID=20A | --- | 28.7 | --- | S |
| Rg | ゲートの抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 1.6 | 3.2 | Ω |
| Qg | 総ゲート充満（10V） | --- | 60 | 84 | ||
| Qgs | ゲート源充満 | --- | 9.7 | 14 | ||
| Qgd | ゲート下水管充満 | --- | 11.8 | 16.5 | ||
| Td （） | 遅れ時間回転 | --- | 10.4 | 21 | ||
| Tr | 上昇時間 | --- | 46 | 83 | ||
| Td （） | 回転遅れ時間 | --- | 54 | 108 | ||
| Tf | 落下時間 | --- | 10 | 20 | ||
| Ciss | 入力キャパシタンス | --- | 3848 | 5387 | ||
| Coss | 出力キャパシタンス | --- | 137 | 192 | ||
| Crss | 逆の移動キャパシタンス | --- | 82 | 115 | ||
| あります | 連続的なソース電流1,5 | VG=VD=0Vの力の流れ | --- | --- | 22 | A |
| 主義 | 脈打ったソース電流2,5 | --- | --- | 45 | A | |
| VSD | ダイオードはVoltage2を進めます | VGS=0V、IS=1A、TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | 逆の回復時間 | IF=20A、dI/dt=100A/µs、 | --- | 30 | --- | nS |
| Qrr | 逆の回復充満 | --- | 37 | --- | NC |
注:
1.Theデータは2OZ銅を持つ1インチFR-4板に取付けられた表面によってテストしました。
2.Theデータは、脈拍幅の≦ 300us脈打つによっての使用率の≦ 2%テストしました
3.The EASデータは最高を示します。評価。テスト条件はVDD=25V、VGS=10V、L=0.1mH、IAS =27Aです
4.The電力損失は150℃接合部温度によって限られます
5.Theデータは論理上IDand IDMが、実質の適用で全体の電力損失によって、限られるべきである同じです。
注意
ここに記述されているか、または含まれている1つに、ありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトに生命維持システム、航空機制御システム、または失敗が適度に深刻で物理的なおよび/または物質的損害で起因すると期待することができる他の適用のような信頼性の非常にハイ レベルを、必要とする適用を扱うことができる指定がありません。そのような適用にここに記述されているか、または含まれているAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトを使用する前にあなたのAPMのマイクロエレクトロニクスの代表的な最も近いと相談して下さい。
2つのAPMのマイクロエレクトロニクスは、ここに記述されているか、または含まれているありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトの製品仕様書にリストされている評価される価値を（最高の評価のような、作動条件は、または他の変数及びます）瞬間的に超過する価値でプロダクトを使用することに起因する設備故障の責任を引き受けません。
3つのありとあらゆるAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトの指定は独立国家でここに記述するか、またはinstipulateを記述されていたプロダクトの性能、特徴および機能含み、顧客のプロダクトか装置に取付けられるように記述されていたプロダクトの性能、特徴および機能の保証ではないです。独立した装置で評価することができない状態および徴候を確認するためには顧客は顧客のプロダクトか装置に取付けられる装置を常に評価し、テストするべきです。
4つのAPMのマイクロエレクトロニクスの半導体CO.、株式会社は良質の高い信頼性プロダクトを供給するように努力します。但し、ありとあらゆる半導体製品は確率と失敗します。これらの確率的な失敗が煙か火をもたらすことができるか、または他の特性への損害を与えることができる危険にさらすことができる人命でき事か事故をもたらすことができることは可能です。Whendesigning装置は、これらの種類の事故またはでき事が行われることができないように安全処置を採用します。そのような手段は含んでいますが、安全な設計、冗長設計および構造設計のための保護回線そして間違い防止回路に限られません。
ここに記述されているか、または含まれている一部またはすべてのAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトが（を含む技術的なデータ、サービス）適当なローカル エクスポート制御の法律および規則の何れかの下で管理されていれば5つは、上記の法律に従ってかかわっている権限から輸出許可を得ないで、そのようなプロダクト輸出されてはなりません。
6つはあらゆる形態で、この出版物の部分または決して、または別の方法で写真複写し、記録するか、またはAPMのマイクロエレクトロニクスの半導体CO.の前の許可書なしで情報蓄積または検索システムを含んで、電子か機械、株式会社再生されるか、または送信されないかもしれません。
7つの情報は（を含む回路図および回路変数）例えばここにありますただ;それは大量生産のために保証されません。APMのマイクロエレクトロニクスはここの情報が正確、信頼できるが、保証が第三者の知的財産権または他の権利の使用か侵害に関してなされないし、意味されないことを信じます。
ここに記述されているか、または含まれている8つ、ありとあらゆる情報はプロダクト/技術の改善、等による変更に応じて予告なしにあります。装置を設計した場合、あなたが使用するように意図するAPMのマイクロエレクトロニクス プロダクトのための「配達指定」を参照して下さい。