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電圧安定装置IC

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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

連絡窓口：MrDavid Lee

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強化モードMosfet力トランジスター/NチャネルMosfetのトランジスター

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型式番号 :G120P06LR1D

原産地 :深セン中国

最低順序量 :ネゴシエーション

支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン

供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/

受渡し時間 :1 - 2 週

包装の細部 :囲まれる

製品名 :mosfet 力トランジスター

V DSSの下水管源の電圧 :-60 V

V GSSのゲート源の電圧 :±20 V

T Jの最高の接合部温度 :175°C

T STGの保管温度の範囲 :-55から175 °C

I現在連続的なSの源（ボディダイオード） :-55A

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強化モードMosfet力トランジスター/NチャネルMosfetのトランジスター

Mosfet力トランジスター紹介

MOSFETの技術は抵抗の低いスイッチは高い効率度が達成されることを可能にする多くの力の適用の使用にとって理想的です。

異なった製造業者、自身の特徴とのそれぞれおよび能力から利用できる力MOSFETのいくつかの異なった変化があります。

多くの力のMOSFETsは縦の構造の地勢学を織込んでいます。これは比較的小さいの区域の内の高性能の高い現在の切換えを死にます可能にします。それはまた装置が高く現在および電圧切換えを支えることを可能にします。

Mosfet力トランジスター特徴

-60V/-55A
R DS （） = 12.5mΩ （typ。） @ V GS = -10V
R DS （） = 18mΩ （typ。） @ V GS = -4.5V
テストされる100%avalanche
信頼でき、険しい
自由なハロゲンおよび緑のDevicesAvailable
（RoHSCompliant）

Mosfet力トランジスター塗布

DC/DCのコンバーターの力管理。

負荷切換え。

運動制御。

命令し、示す情報

D U V

G120P06L G120P06L G120P06L

パッケージコード

D:TO-252-2L U:TO-251-3L
V:TO-251-3S

日付コード

注:HUAYIの無鉛プロダクトは鋳造物の混合物を含んでいましたり/付加材料および100%のマットの錫のplateTermi-死にます
国家の終わり;RoHSに完全に準拠しているかどれが。HUAYIの無鉛プロダクトは無鉛に要求します会うか、または超過します
無鉛ピーク退潮の温度のMSLの分類のためのIPC/JEDEC J-STD-020のments。HUAYIは定義します「緑」を
自由な無鉛（迎合的なRoHS）およびハロゲンを意味するため（BrかCLは同質の重量900ppmを超過しません
BrおよびCLの物質的、全体重量1500ppmを超過しません）。
HUAYIはこのprへの変更、訂正、強化、修正および改善をする権利を確保します
-この文書へのoductおよび/またはいつでも予告なしに。

絶対最高評価

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