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TO-220-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターTIP117ダーリントン トランジスター（NPN）を
最高の評価（通知がなければTa=25℃）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | -100 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -100 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -5 | V |
| IC | コレクター流れ | -2 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 2 | W |
| RθJA | 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | 63 | ℃/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ |
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=-1mA、すなわち=0 | -100 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO* | IC=-30mA、IB=0 | -100 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=-5MA、IC=0 | -5 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=-100V、すなわち=0 | -1 | mA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=-50V、IB=0 | -2 | mA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=-5V、IC=0 | -2 | mA | ||
|
DCの現在の利益 |
hFE （1） | VCE=-4V、IC=-1A | 1000 | 12000 | ||
| hFE （2） | VCE=-4V、IC=-2A | 500 | ||||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=-2A、IB=-8mA | -2.5 | V | ||
| 基盤エミッターの電圧 | VBE | VCE=-4V、IC=-2A | -2.8 | V | ||
| コレクターの出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB=-10V、すなわち=0、f=0.1MHz | 200 | pF |
TO-220-3Lのパッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 4.470 | 4.670 | 0.176 | 0.184 |
| A1 | 2.520 | 2.820 | 0.099 | 0.111 |
| b | 0.710 | 0.910 | 0.028 | 0.036 |
| b1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
| c | 0.310 | 0.530 | 0.012 | 0.021 |
| c1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
| D | 10.010 | 10.310 | 0.394 | 0.406 |
| E | 8.500 | 8.900 | 0.335 | 0.350 |
| E1 | 12.060 | 12.460 | 0.475 | 0.491 |
| e | 2.540 TYP | 0.100 TYP | ||
| e1 | 4.980 | 5.180 | 0.196 | 0.204 |
| F | 2.590 | 2.890 | 0.102 | 0.114 |
| h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
| L | 13.400 | 13.800 | 0.528 | 0.543 |
| L1 | 3.560 | 3.960 | 0.140 | 0.156 |
| Φ | 3.735 | 3.935 | 0.147 | 0.155 |
