シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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MBRB10100CT-Bショットキー橋整流器の低い電力の損失の高性能

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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrDavid Lee
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MBRB10100CT-Bショットキー橋整流器の低い電力の損失の高性能

最新の価格を尋ねる
原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :MBRB10100CT-B
力 Mosfet のトランジスター :TO-263-2Lはダイオードをプラスチック内部に閉じ込めます
タイプ :ショットキー橋整流器
フィーチャー :低い電力の損失、高性能
RMSの逆電圧 :70V
プロダクト ID :MBRB10100CT-B
して、TJ :125℃
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MBR3060CT/MBR3060FCT TO-220-3Lはダイオードをプラスチック内部に閉じ込めます


 

特徴
 
ショットキー障壁の破片
低い電力の損失、高性能
監視リングは構造一時的な保護のための死にます
高いサージ機能
高い現在の機能および低い前方電圧低下
低電圧の使用のため、高周波インバーター、自由な回転、
そして極性の保護適用
 
MAXIMUMRATINGS (Ta=25℃unlessotherwisenoted)
MBRB10100CT-Bショットキー橋整流器の低い電力の損失の高性能
 
ELECTRICALCHARACTERISTICS (Ta=25℃unlessotherwisespecified)
 
MBRB10100CT-Bショットキー橋整流器の低い電力の損失の高性能
 
 
典型的な特徴
 
MBRB10100CT-Bショットキー橋整流器の低い電力の損失の高性能
 
 
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