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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

シティ：shenzhen

省/州：guangdong

国/地域：china

連絡窓口：MrDavid Lee

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MBR1030CTの高い流れMosfet TO-220-3L 30-50v DCの妨害電圧

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原産地 :深セン中国

最低順序量 :1000-2000 PC

包装の細部 :囲まれる

受渡し時間 :1 - 2 週

支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン

供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/

型式番号 :MBR1030CT

タイプ :ショットキー障壁の破片

フィーチャー :高いサージ機能

DCの妨害電圧 :30-50V

IFSM :125A

プロダクト ID :MBR1030CT

電力損失 :2 W

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製品の説明を表示

MBR1030CT、35CT、40CT、45CT、50CT、60CT TO-220-3Lはダイオードをプラスチック内部に閉じ込めます

特徴

ショットキー障壁の破片

低い電力の損失、高性能

監視リングは構造一時的な保護のための死にます

高いサージ機能

高い現在の機能および低い前方電圧低下

MAXIMUMRATINGS （Ta=25℃unlessotherwisenoted）

MBR1030CTの高い流れMosfet TO-220-3L 30-50v DCの妨害電圧

ELECTRICALCHARACTERISTICS （Ta=25℃unlessotherwisespecified）

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