製品 サプライヤー Sign in Register

シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
正会員
6 年
ホーム 製品カタログ 会社概要 品質管理 お問い合わせ 割当て要求
日本語
ホーム / 製品 / Mos Field Effect Transistor / HXY4404 Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満 /

show pictures

製品カテゴリ

Mosfet力トランジスター

 [236]

先端力トランジスター

 [60]

ケイ素力トランジスター

 [38]

二重スイッチング・ダイオード

 [30]

Mosの電界効果トランジスタ

 [58]

デュアル・チャネルMosfet

 [20]

速い回復整流器ダイオード

 [12]

力のツェナー ダイオード

 [12]

ショットキー橋整流器

 [20]

高圧整流器ダイオード

 [30]

半導体の三極管

 [18]

電圧安定装置IC

 [28]
企業との接触
シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社
シティ：shenzhen
省/州：guangdong
国/地域：china
連絡窓口：MrDavid Lee
表示連絡先の詳細
企業との接触

HXY4404 Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満
HXY4404 Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満
  • HXY4404 Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満
製品の詳細
60V NチャネルAlphaSGT HXY4264 プロダクト概要 VDS 30V ID （VGS=10Vで） 8.5A RDS （） （VGS=10Vで） < 24m=""> RDS （） （でVGS = 4.5V） < 30m=""> RDS （） （でVGS = 2.5V） < 48m=""> ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
二重スイッチダイオード 更新された電源トランジスタ npn igbtゲート電圧

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4