シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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MMBD1501Aは高い導電率スイッチング・ダイオードの低い漏出ダイオードの二倍になります

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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MMBD1501Aは高い導電率スイッチング・ダイオードの低い漏出ダイオードの二倍になります

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原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :MMBD1501A
プロダクト ID :MMBD1501A
フィーチャー :高い導電率
タイプ :二重スイッチング・ダイオード
ピーク前方流れ :700mA
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MMBD1501Aの低い漏出ダイオードSOT-23はダイオードをプラスチック内部に閉じ込めます

 

特徴

 

  • 低い漏出
  • 高い導電率

 

最高の評価(通知がなければT =25℃)

記号 変数 価値 単位
VR DCの妨害電圧 200 V
IO 連続的な前方流れ 200 mA
IFM ピーク前方流れ 700 mA
IFSM 非反復ピーク前方サージ電流@t=8.3ms 2.0 A
PD 電力損失 350 MW
RθJA 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 357 ℃/W
Tj 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55~+150

 

電気特徴(T =25℃他に特に規定がなければ)

 

変数 記号 テスト条件 Typ 最高 単位
逆電圧 V (BR) IR=5μA 200     V
逆の流れ IR VR=180V     10 nA

 

 

 

前方電圧

 

 

 

VF

IF=1mA     0.75

 

 

 

V

IF=10mA     0.85
IF=50mA     0.95
IF=100mA     1.1
IF=200mA     1.3
IF=300mA     1.5
総キャパシタンス Ctot VR=0V、f=1MHz     4 pF

 

 


SOT-23パッケージの輪郭次元

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  最高 最高
A 0.900 1.150 0.035 0.045
A1 0.000 0.100 0.000 0.004
A2 0.900 1.050 0.035 0.041
b 0.300 0.500 0.012 0.020
c 0.080 0.150 0.003 0.006
D 2.800 3.000 0.110 0.118
E 1.200 1.400 0.047 0.055
E1 2.250 2.550 0.089 0.100
e 0.950 TYP 0.037 TYP
e1 1.800 2.000 0.071 0.079
L 0.550 REF 0.022 REF
L1 0.300 0.500 0.012 0.020
θ

 

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