最新の価格を尋ねる
正会員
6 年
Add to Cart
TO-126によってプラスチック内部に閉じ込められるトランジスターB772トランジスター（PNP）
低速切換え
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | -40 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | -30 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | -6 | V |
| IC | 連続的なコレクター流れ- | -3 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 1.25 | W |
| RӨJA | 熱抵抗、包囲されたへの接続点 | 100 | ℃/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55-150 | ℃ |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=-100μA、すなわち=0 | -40 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC= -10MA、IB=0 | -30 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち= -100ΜA、IC=0 | -6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB= -40V、すなわち=0 | -1 | μA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=-30V、IB=0 | -10 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=-6V、IC=0 | -1 | μA | ||
| DCの現在の利益 | hFE | VCE= -2V、IC= -1A | 60 | 400 | ||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=-2A、IB= -0.2A | -0.5 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC=-2A、IB= -0.2A | -1.5 | V | ||
転移の頻度 | fT | VCE= -5V、IC=-0.1A f =10MHz |
50 |
80 |
MHz |
| ランク | R | O | Y | GR |
| 範囲 | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |
