シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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3DD13005HD55先端力トランジスターVCBO 600V半導体の三極管のタイプ

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
連絡窓口:MrDavid Lee
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3DD13005HD55先端力トランジスターVCBO 600V半導体の三極管のタイプ

最新の価格を尋ねる
原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :3DD13005HD55
コレクターの電力損失 :1.5Wの
接合部温度 :150 ℃
VCBO :600v
製品名 :半導体の三極管のタイプ
コレクター流れ :3.5A
タイプ :三極管のトランジスター
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製品の説明を表示

TO-126はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13005HD55トランジスター(NPN)を

 

特徴
 

Ÿ力の切換えの適用

Ÿのよい高温

Ÿの低い飽和電圧

Ÿの高速切換え

 

 

印が付いていること

JCETのロゴ13005HD55=Deviceコード

 

3DD13005HD55先端力トランジスターVCBO 600V半導体の三極管のタイプ

 

 

発注情報

部品番号 パッケージ パッキング方法 パックの量
3DD13005HD55 TO-126 大きさ 200pcs/Bag
3DD13005HD55-TU TO-126 60pcs/Tube


 

 

 

 

最高の評価(通知がなければT =25 Š)

 

記号 変数 価値 単位
VCBO コレクター基盤の電圧 800 V
VCEO コレクター エミッターの電圧 450 V
VEBO エミッター基盤の電圧 9 V
IC コレクター流れ 3.5 A
PC コレクターの電力損失 1.5 W
RθJA 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 83.3 ℃/W
Tj 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55~+150

 

 

 

 


電気特徴

 

 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ


 

Ta =25 Š他に特に規定がなければ

変数 記号 テスト条件 Typ 最高 単位
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) CBO IC=1mA、すなわち=0 800     V
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 V (BR) CEO* IC=10mA、IB=0 450     V
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO すなわち= 1mA、IC=0 9     V
コレクタ遮断電流 ICBO VCB=700V、すなわち=0     100 μA
コレクタ遮断電流 ICEO VCE=450V、IB=0     100 μA
エミッターの締切りの流れ IEBO VEB=9V、IC=0     100 μA

 

DCの現在の利益

hFE (1) * VCE=5V、IC=1A 10   40  
hFE (2) * VCE=5V、IC=5mA 10      
hFE (3) * VCE=5V、IC=2A 5      

 

コレクター エミッターの飽和電圧

VCE (坐る) 1 IC=1A、IB=200mA     0.3 V
VCE (坐る) 2 IC=2A、IB=500mA     0.6 V

 

基盤エミッターの飽和電圧

VBE (坐る) 1 IC=2A、IB=500mA     1.2 V
VBE (坐る) 2 IC=500mA、IB=100mA     1 V
エミッター コレクター前方電圧 VF欧州共同体 IC=2A     2 V
転移の頻度 fT VCE=10V、IC=500mA 5     MHZ
貯蔵時間 TS IC=250mA (UI9600)     5 µs

 

 


典型的な特徴

 

 3DD13005HD55先端力トランジスターVCBO 600V半導体の三極管のタイプ3DD13005HD55先端力トランジスターVCBO 600V半導体の三極管のタイプ
 

 

TO-92パッケージの輪郭次元

 

記号 ミリメートルの次元 インチの次元
  最高 最高
A 2.500 2.900 0.098 0.114
A1 1.100 1.500 0.043 0.059
b 0.660 0.860 0.026 0.034
b1 1.170 1.370 0.046 0.054
c 0.450 0.600 0.018 0.024
D 7.400 7.800 0.291 0.307
E 10.600 11.000 0.417 0.433
e 2.290 TYP 0.090 TYP
e1 4.480 4.680 0.176 0.184
h 0.000 0.300 0.000 0.012
L 15.300 15.700 0.602 0.618
L1 2.100 2.300 0.083 0.091
P 3.900 4.100 0.154 0.161
Φ 3.000 3.200 0.118 0.126

 

 

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