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TO-126はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター3DD13005HD55トランジスター(NPN)を
Ÿ力の切換えの適用
Ÿのよい高温
Ÿの低い飽和電圧
Ÿの高速切換え
印が付いていること
JCETのロゴ13005HD55=Deviceコード
発注情報
部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
3DD13005HD55 | TO-126 | 大きさ | 200pcs/Bag |
3DD13005HD55-TU | TO-126 | 管 | 60pcs/Tube |
最高の評価(通知がなければT =25 Š)
記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
VCBO | コレクター基盤の電圧 | 800 | V |
VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 450 | V |
VEBO | エミッター基盤の電圧 | 9 | V |
IC | コレクター流れ | 3.5 | A |
PC | コレクターの電力損失 | 1.5 | W |
RθJA | 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | 83.3 | ℃/W |
Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) CBO | IC=1mA、すなわち=0 | 800 | V | ||
コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V (BR) CEO* | IC=10mA、IB=0 | 450 | V | ||
エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V (BR) EBO | すなわち= 1mA、IC=0 | 9 | V | ||
コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=700V、すなわち=0 | 100 | μA | ||
コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=450V、IB=0 | 100 | μA | ||
エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=9V、IC=0 | 100 | μA | ||
DCの現在の利益 |
hFE (1) * | VCE=5V、IC=1A | 10 | 40 | ||
hFE (2) * | VCE=5V、IC=5mA | 10 | ||||
hFE (3) * | VCE=5V、IC=2A | 5 | ||||
コレクター エミッターの飽和電圧 |
VCE (坐る) 1 | IC=1A、IB=200mA | 0.3 | V | ||
VCE (坐る) 2 | IC=2A、IB=500mA | 0.6 | V | |||
基盤エミッターの飽和電圧 |
VBE (坐る) 1 | IC=2A、IB=500mA | 1.2 | V | ||
VBE (坐る) 2 | IC=500mA、IB=100mA | 1 | V | |||
エミッター コレクター前方電圧 | VF欧州共同体 | IC=2A | 2 | V | ||
転移の頻度 | fT | VCE=10V、IC=500mA | 5 | MHZ | ||
貯蔵時間 | TS | IC=250mA (UI9600) | 5 | µs |
典型的な特徴
TO-92パッケージの輪郭次元
記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
分 | 最高 | 分 | 最高 | |
A | 2.500 | 2.900 | 0.098 | 0.114 |
A1 | 1.100 | 1.500 | 0.043 | 0.059 |
b | 0.660 | 0.860 | 0.026 | 0.034 |
b1 | 1.170 | 1.370 | 0.046 | 0.054 |
c | 0.450 | 0.600 | 0.018 | 0.024 |
D | 7.400 | 7.800 | 0.291 | 0.307 |
E | 10.600 | 11.000 | 0.417 | 0.433 |
e | 2.290 TYP | 0.090 TYP | ||
e1 | 4.480 | 4.680 | 0.176 | 0.184 |
h | 0.000 | 0.300 | 0.000 | 0.012 |
L | 15.300 | 15.700 | 0.602 | 0.618 |
L1 | 2.100 | 2.300 | 0.083 | 0.091 |
P | 3.900 | 4.100 | 0.154 | 0.161 |
Φ | 3.000 | 3.200 | 0.118 | 0.126 |