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SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターFMMT491トランジスター（NPN）を
スイッチング・トランジスタ
最高の評価（通知がなければTa=25℃）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 60 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 40 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
| IC | コレクター流れ | 600 | mA |
| PC | コレクターの電力損失 | 300 | MW |
| RΘJA | 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | 417 | ℃/W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | ℃ |
電気特徴（Ta=25℃他に特に規定がなければ）
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=100μA、すなわち=0 | 60 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC=1mA、IB=0 | 40 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=100ΜA、IC=0 | 6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=50V、すなわち=0 | 0.1 | μA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEX | VCE=35V、VEB=0.4V | 0.1 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=5V、IC=0 | 0.1 | μA | ||
|
DCの現在の利益 |
hFE1 | VCE=1V、IC=0.1mA | 20 | |||
| hFE2 | VCE=1V、IC=1mA | 40 | ||||
| hFE3 | VCE=1V、IC=10mA | 80 | ||||
| hFE4 | VCE=1V、IC=150mA | 100 | 300 | |||
| hFE5 | VCE=2V、IC=500mA | 40 | ||||
|
コレクター エミッターの飽和電圧 |
VCE （坐る） |
IC=150mA、IB=15mA | 0.4 | V | ||
| IC=500mA、IB=50mA | 0.75 | V | ||||
|
基盤エミッターの飽和電圧 |
VBE （坐る） |
IC=150mA、IB=15mA | 0.95 | V | ||
| IC=500mA、IB=50mA | 1.2 | V | ||||
| 転移の頻度 | fT | VCE=10V、IC=20mA、f =100MHz | 250 | MHz | ||
| 遅れ時間 | td |
VCC=30V、VBE （） =-2V IC=150mA、IB1=15mA |
15 | ns | ||
| 上昇時間 | tr | 20 | ns | |||
| 貯蔵時間 | ts |
VCC=30V、IC=150mA IB1=IB2=15mA |
225 | ns | ||
| 落下時間 | tf | 60 | ns |
、脈拍width=300μs脈打った条件の下で測定されるの義務cycle≤2%。
典型的なCharacterisitics
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 0.900 | 1.150 | 0.035 | 0.045 |
| A1 | 0.000 | 0.100 | 0.000 | 0.004 |
| A2 | 0.900 | 1.050 | 0.035 | 0.041 |
| b | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| c | 0.080 | 0.150 | 0.003 | 0.006 |
| D | 2.800 | 3.000 | 0.110 | 0.118 |
| E | 1.200 | 1.400 | 0.047 | 0.055 |
| E1 | 2.250 | 2.550 | 0.089 | 0.100 |
| e | 0.950 TYP | 0.037 TYP | ||
| e1 | 1.800 | 2.000 | 0.071 | 0.079 |
| L | 0.550 REF | 0.022 REF | ||
| L1 | 0.300 | 0.500 | 0.012 | 0.020 |
| θ | 0° | 8° | 0° | 8° |