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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスターC945トランジスター（NPN）を
Ÿの優秀なhFEの直線性
低雑音Ÿ
A733に補足Ÿ
印が付いていること
C945=Deviceコード
固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green
hFEのZ=Rank
XXX=Code
発注情報
| 部品番号 | パッケージ | パッキング方法 | パックの量 |
| C945 | TO-92 | 大きさ | 1000pcs/Bag |
| C945-TA | TO-92 | テープ | 2000pcs/Box |
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 60 | V |
| V CEO | コレクター エミッターの電圧 | 50 | V |
| V EBO | エミッター基盤の電圧 | 5 | V |
| I C | 連続的なコレクター流れ- | 150 | mA |
| PC | コレクターの電力損失 | 400 | MW |
| TJ | 接合部温度 | 150 | ℃ |
| Tstg | Stのorageの温度 | -55~+150 | ℃ |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=1mA、すなわち=0 | 60 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO | IC=100μA、IB=0 | 50 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=100 μA、IC=0 | 5 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=60V、すなわち=0 | 0.1 | μA | ||
| コレクタ遮断電流 | ICEO | VCE=45V、IB=0 | 0.1 | μA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=5V、IC=0 | 0.1 | μA | ||
|
DCの現在の利益 |
hFE （1） | VCE=6V、IC=1mA | 70 | 700 | ||
| hFE （2） | VCE=6V、IC=0.1mA | 40 | ||||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） | IC=100mA、IB=10mA | 0.3 | V | ||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） | IC=100mA、IB=10mA | 1 | V | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE=6V、IC=10mA、f=30MHz | 200 | MHz | ||
| コレクターの出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB=10V、すなわち=0、f=1MHz | 3.0 | pF | ||
|
雑音指数 |
NF |
VCE=6V、IC=0.1mA RG=10kΩ、f=1MHz |
10 |
dB |
| ランク | O | Y | GR | BL |
| 範囲 | 70-140 | 120-240 | 200-400 | 350-700 |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |