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TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター2N5551トランジスター（NPN）を
Ÿの一般目的の切換えの適用
印が付いていること
2N5551=Deviceコード
固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green
hFEのZ=Rank
発注情報
| 部品番号 | パッキング方法 | パックの量 |
| 2N5551 | 大きさ | 1000pcs/Bag |
| 2N5551-TA | テープ | 2000pcs/Box |
最高の評価（通知がなければT =25 Š）
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VCBO | コレクター基盤の電圧 | 180 | V |
| VCEO | コレクター エミッターの電圧 | 160 | V |
| VEBO | エミッター基盤の電圧 | 6 | V |
| IC | コレクター流れ | 0.6 | A |
| PC | コレクターの電力損失 | 625 | MW |
| R0 JA | 接続点からの包囲されたへの熱抵抗 | 200 | Š /W |
| Tj | 接合部温度 | 150 | Š |
| Tstg | 保管温度 | -55~+150 | Š |
Ta =25 Š他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 | テスト条件 | 分 | Typ | 最高 | 単位 |
| コレクター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） CBO | IC=100μA、すなわち=0 | 180 | V | ||
| コレクター エミッターの絶縁破壊電圧 | V （BR） CEO* | IC=1mA、IB=0 | 160 | V | ||
| エミッター基盤の絶縁破壊電圧 | V （BR） EBO | すなわち=10ΜA、IC=0 | 6 | V | ||
| コレクタ遮断電流 | ICBO | VCB=120V、すなわち=0 | 50 | nA | ||
| エミッターの締切りの流れ | IEBO | VEB=4V、IC=0 | 50 | nA | ||
|
DCの現在の利益 |
hFE （1） | VCE=5V、IC=1mA | 80 | |||
| hFE （2） | VCE=5V、IC=10mA | 100 | 300 | |||
| hFE （3） | VCE=5V、IC=50mA | 50 | ||||
| コレクター エミッターの飽和電圧 | VCE （坐る） ˄1˅ | IC=10mA、IB=1mA | 0.15 | V | ||
| VCE （坐る） ˄2˅ | IC=50mA、IB=5mA | 0.2 | V | |||
| 基盤エミッターの飽和電圧 | VBE （坐る） ˄1˅ | IC=10mA、IB=1mA | 1 | V | ||
| VBE （坐る） ˄2˅ | IC=50mA、IB=5mA | 1 | V | |||
| コレクターの出力キャパシタンス | 穂軸 | VCB=10V、すなわち=0、f=1MHz | 6 | pF | ||
| エミッターの入力キャパシタンス | Cib | VBE=0.5V、IC=0、f=1MHz | 20 | pF | ||
| 転移の頻度 | fT | VCE=10V、IC=10mA、f=100MHz | 100 | 300 | MHz |
| ランク | A | B | C |
| 範囲 | 100-150 | 150-200 | 200-300 |
典型的な特徴
パッケージの輪郭次元
| 記号 | ミリメートルの次元 | インチの次元 | ||
| 分 | 最高 | 分 | 最高 | |
| A | 3.300 | 3.700 | 0.130 | 0.146 |
| A1 | 1.100 | 1.400 | 0.043 | 0.055 |
| b | 0.380 | 0.550 | 0.015 | 0.022 |
| c | 0.360 | 0.510 | 0.014 | 0.020 |
| D | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| D1 | 3.430 | 0.135 | ||
| E | 4.300 | 4.700 | 0.169 | 0.185 |
| e | 1.270 TYP | 0.050 TYP | ||
| e1 | 2.440 | 2.640 | 0.096 | 0.104 |
| L | 14.100 | 14.500 | 0.555 | 0.571 |
| 0 | 1.600 | 0.063 | ||
| h | 0.000 | 0.380 | 0.000 | 0.015 |